IS61LV25616AL
ISSI
测试条件
V
DD
=最大，
COM 。
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
IND 。
V
DD
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
≥
V
IH
, f = f
最大
.
V
DD
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
≥
V
IH
, f = 0
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
-10
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
100
110
50
55
20
25
15
20
-12
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
90
100
45
50
20
25
15
20
单位
mA
mA
®
电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号参数
I
CC
I
SB
V
DD
工作动态
电源电流
TTL待机电流
（ TTL输入）
TTL待机电流
（ TTL输入）
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
1
2
3
4
5
6
I
SB
1
mA
I
SB
2
V
DD
=最大，
COM 。
CE
≥
V
DD
– 0.2V,
IND 。
V
IN
≥
V
DD
- 0.2V ，或
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
mA
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
在发展中阴影区域的产品
电容
(1)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输入/输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
7
8
9
10
11
12
注意：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com -
1-800-379-4774
REV 。一
02/21/03
5
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
