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IS61LV12816L-10TLI 参数 Datasheet PDF下载

IS61LV12816L-10TLI图片预览
型号: IS61LV12816L-10TLI
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内容描述: 128K ×16高速CMOS静态RAM与3.3V电源 [128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY]
分类和应用:
文件页数/大小: 16 页 / 112 K
品牌: ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
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IS61LV12816L
电源特性
(1)
(以上经营范围)
符号
I
CC
参数
V
DD
操作
电源电流
TTL待机
当前
( TTL输入)
CMOS待机
当前
( CMOS输入)
测试条件
V
DD
=最大,
CE
= V
IL
I
OUT
= 0 mA时, F =最大值。
V
DD
=最大,
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
V
IH
, F =最大
V
DD
=最大,
CE
V
DD
– 0.2V,
V
IN
V
DD
- 0.2V ,或
V
IN
0.2V , F = 0
COM 。
IND 。
典型值。
(2)
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
典型值。
(2)
-8 NS
分钟。马克斯。
65
70
50
30
35
3
4
700
-10 NS
分钟。马克斯。
60
65
50
25
30
3
4
700
ISSI
单位
mA
®
I
SB
1
mA
I
SB
2
mA
mA
µA
注意:
1.在f = F
最大
,地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0,表示无输入线发生变化。
2.典型的值在V测量
DD
= 3.3V ,T
A
=25
o
C.未经100%测试。
电容
(1)
符号
C
IN
C
OUT
注意:
1.测试开始后任何设计或工艺变化,可能会影响这些参数。
参数
输入电容
输入/输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
集成的芯片解决方案,公司 - www.issi.com -
1-800-379-4774
牧师˚F
10/27/05
5