IS61C256AL
工作范围
范围
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产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
速度快（纳秒）
-10
-12
-12
V
DD
(V)
5V ± 5%
5V ± 10%
5V ± 10%
ISSI
®
DC电气特性
（以上经营范围）
符号参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
GND
≤
V
IN
≤
V
DD
GND
≤
V
OUT
≤
V
DD
,
输出禁用
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
测试条件
V
DD
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
DD
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
分钟。
2.4
—
2.2
–0.3
–1
–2
–1
–2
马克斯。
—
0.4
V
DD
+ 0.5
0.8
1
2
1
2
单位
V
V
V
V
µA
µA
注意：
1. V
IL
= -3.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号
I
CC
1
I
CC
2
参数
V
DD
操作
电源电流
V
DD
工作动态
电源电流
TTL待机电流
（ TTL输入）
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
测试条件
V
DD
=最大，
CE
= V
IL
I
OUT
= 0 mA时， F = 0
V
DD
=最大，
CE
= V
IL
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
V
DD
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
≥
V
IH
, f = 0
V
DD
=最大，
CE
≥
V
DD
– 0.2V,
V
IN
≥
V
DD
- 0.2V ，或
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
典型值。
(2)
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
典型值。
(2)
-10
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
20
—
45
—
1
—
350
—
-12
分钟。马克斯。
—
—
—
—
25
—
—
1
2
mA
20
25
35
40
单位
mA
mA
I
SB
1
I
SB
2
—
350
—
450
200
µA
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
2.典型的值在V测量
DD
= 5V ，T
A
= 25
o
C和不是100 ％测试。
电容
(1,2)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
8
10
单位
pF
pF
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2.测试条件：T已
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
DD
= 5.0V.
集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com -
1-800-379-4774
版本B
10/23/06
3
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
