IS42S16400B
概述
64MB的SDRAM是高速CMOS ，动态
随机存取存储器的设计在3.3V操作
含67,108,864位内存系统。国内
配置为四组的DRAM ，具有同步
界面。每个16777216位银行的组织结构4096
行，256列16位。
64MB的SDRAM包括自动刷新模式，
和节电，省电模式。所有的信号都
登记在时钟信号CLK的上升沿。
所有输入和输出都是LVTTL兼容。
64MB的SDRAM有能力同步爆
在高数据速率的自动列地址的数据
一代，有能力内部银行之间的交错
隐藏预充电时间和能力，以随机
在更改地址栏上的每个时钟周期
突发存取。
在突发年底启动自定时行预充电
序列可与自动预充电
功能启用。同时访问一个预充电一家银行
其他三家银行将隐藏预充电周期，
提供无缝，高速随机存取操作。
SDRAM的读取和写入访问被爆导向出发
在选定的位置，并继续进行编程
在编程顺序位置号。该
激活命令的登记开始访问，
其次是读或写命令。在ACTIVE
命令与注册地址位结合
用于选择和行要访问（ BA0 ， BA1
选择银行; A0 -A11选择行） 。读或
在地址位一起写命令稳压
istered用于选择为起始列位置
突发的访问。
可编程的读或写突发长度由
1，2， 4和8的位置，或整页，用一个脉冲串终止
选项。
功能框图
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A11
DQM
命令
解码器
＆放大器;
时钟
发电机
DATA IN
卜FF器
16
16
模式
注册
11
刷新
调节器
DQ 0-15
自
刷新
调节器
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
BA0
BA1
11
数据输出
卜FF器
16
16
V
DD
/V
DDQ
GND / GNDQ
刷新
计数器
4096
4096
4096
4096
行解码器
多路复用器
记忆细胞
ARRAY
11
ROW
地址
LATCH
11
ROW
地址
卜FF器
BANK 0
SENSE AMP I / O GATE
COLUMN
地址锁存
8
256K
(x 16)
银行控制逻辑
串计数器
列解码器
COLUMN
地址缓冲器
8
2
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牧师˚F
05/21/07
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
