IC42S16160B-7TL 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IC42S16160B-7TL
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内容描述：	256兆位同步DRAM [256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM]
分类和应用：	动态存储器
文件页数/大小：	62 页 / 768 K
品牌：	ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]

IS42S83200B,

IS42S16160B

设备概述

256MB的SDRAM是高速CMOS ，动态

随机存取存储器的设计中3.3VV操作

和3.3V V

DDQ

含268435456内存系统

位。在内部配置为四银行DRAM与

同步接口。每个67,108,864位银行奥尔加

认列之为8,192行512列16位或8,192行

通过1024列由8位。

256MB的SDRAM包括自动刷新模式，

和节电，省电模式。所有的信号都

登记在时钟信号CLK的上升沿。所有

输入和输出都是LVTTL兼容。

256MB的SDRAM有能力同步爆

在高数据速率的自动列地址的数据

一代，有能力内部银行之间的交错

隐藏预充电时间和能力，以随机

改变列地址的突发期间每一个时钟周期

访问。

在突发年底启动自定时行预充电

序列可与自动预充电功能

化启用。预充电一家银行在访问中的一个

其他三家银行将隐藏预充电周期，并提供

无缝的，高速的，随机存取操作。

SDRAM的读取和写入访问被突发式开始

一个选定的位置，并继续进行编程num-

BER在编程顺序位置。该registra-

激活命令和灰开始访问，随后

读或写命令。在活动命令

与注册地址位一起用于选择

要访问的组和行（ BA0 ， BA1选择

银行; A0 - A12选择行）。读或写

注册联的命令与地址位

用于选择脉冲串的起始列位置

访问。

可编程的读或写突发长度由1个，

2，4和8的位置或整页，用一个脉冲串终止

选项。

功能块图（供4MX16X4银行所示）

CLK

CKE

RAS

CAS

DQML

DQMH

命令

解码器

＆放大器;

时钟

发电机

DATA IN

卜FF器

模式

刷新

调节器

DQ 0-15

自

刷新

调节器

A10

A12

A11

BA0

BA1

数据输出

卜FF器

DDQ

刷新

计数器

8192

行解码器

多路复用器

记忆细胞

ARRAY

ROW

地址

LATCH

ROW

地址

卜FF器

BANK 0

SENSE AMP I / O GATE

COLUMN

地址锁存

512

(x 16)

银行控制逻辑

串计数器

列解码器

COLUMN

地址缓冲器

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Rev. D的

07/28/08

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