纳安解决方案
EM033C08
表3 ：工作特性（在规定的温度范围内）
项
电源电压
数据保持电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
输出漏电流
工作电源
电流（注1 ）
待机电流（注2 ）
注意事项：
注意： 1。工作电流是频率和电压的线性函数。您可以使用计算工作电流
用操作频率（f）所示的公式表示在兆赫和工作电压（V）的单位为伏特。例如：工作
在2兆赫和2.0伏将以此为0.3 * 2 * 2 = 1.2 mA的最大电流。
注2：本设备都认为，只要芯片使能（ CE ），待机模式被禁用（高） 。它还会自动
进入待机模式时所有的输入信号是静止的（不切换）每当访问或写周期
无论国家的CE完成。为了实现低待机电流所有输入电平必须在0.2伏
任V
CC
或GND 。
符号
V
CC
V
DR
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LI
I
LO
I
CC
I
SB
I
OH
= 200
µA
I
OL
= –200
µA
V
IN
= 0至V
CC
OE = V
IH
或CE = 1
V
IN
= V
CC
或0V ，CE = 0
V
IN
= V
CC
或0V
CE = V
CC
测试条件
分钟。
1.5
1.2
0.7V
CC
–0.3
V
CC
–0.2
0.2
1
1
0.3 * F * V
10
马克斯。
3.6
3.6
V
CC
+0.3
0.3V
CC
单位
V
V
V
V
V
V
µA
µA
mA
µA
表4 ：电容*
项
输入电容
I / O容量
符号
C
IN
C
I / O
测试条件
V
IN
= 0V ， F = 1 MHz时，T
A
= 25
o
C
V
IN
= 0V ， F = 1 MHz时，T
A
= 25
o
C
民
最大
5
5
单位
pF
pF
注：这些参数在设备特性验证，并非100％测试
表5 ：时序测试条件
项
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
工作温度（除非另有说明）
0.1V
CC
0.9 V
CC
5ns
0.5V
CC
CL = 30pF的
-20至+80
o
C
库存号23087-01 12/98
3
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
