75V16F64GS16
ISSI
初步信息
2002年8月
®
64兆位闪存16兆位伪SRAM
堆叠式多芯片封装（ MCP ）
MCP特点
•
2.7至3.1伏的电源电压
•
高性能：
-
闪存存取时间快70纳秒
- PSRAM存取时间快80纳秒
•
包装： 65球FBGA
•
工作温度： -30 ° C至+ 85°C
•
WP / ACC
输入引脚
- 在V
IL
，使保护“最外层” 2
×
8字节
对引导扇区的两端，无论行业
保护/解除保护状态
- 在V
IH
允许拆除引导扇区保护
- 在V
加
，节目时间会减少40％
•
嵌入式擦除
TM
算法
FLASH内存功能
•
0.16微米工艺技术
•
同时读/写操作（双行）
•
FlexBank
TM
架构
- 银行 - 答： 8兆位（ 8 KB ×8和64 KB ×15 ）
- 银行B： 24兆位（ 64 KB ×48 ）
- 银行C： 24兆位（ 64 KB ×48 ）
- 银行D： 8兆位（ 8 KB ×8和64 KB ×15 ）
- 两个虚拟银行是从组合选择
四个物理银行（参阅虚拟"Example
银行联合Table"和同步
操作Table"灵活扇区擦除
架构上的FLASH MEMORY ）
- 主机系统可以进行编程或擦除在一家银行，并
然后从立即同时读
与之间的读取和写入零延迟等银行
操作。
- 同时读 - 擦除
- 同时读程序
单3.0V，读取，编程和擦除
- 最小化系统级电源要求
最低100,000编程/擦除周期
扇区擦除架构
- 16个4 K字和126 32
字千字行业
- 任何部门的结合，可以同时
删除
- 支持整片擦除
隐藏的ROM （高-ROM ）地区
- 256字节的Hi- ROM中，通过一个新的"HI-访问
ROM Enable"命令序列
- 出厂序列化和保护，以提供一个安全的
电子序列号（ESN ）
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
- 自动preprograms和擦除芯片
或任何部门
嵌入式程序
TM
算法
- 自动写入并在指定的验证数据
地址
数据轮询和切换位功能的检测
编程或擦除周期完成
就绪/忙输出（ RY / BY ）
- 硬件的检测方法，程序或
擦除周期结束
自动休眠模式
- 当地址保持稳定，设备
自动切换到低功耗模式。
低V
CC
˚F写禁止
≤
2.5 V
计划暂停/恢复
- 挂起的程序操作，让读
在另一个字节
擦除挂起/恢复
- 挂起擦除操作，让读
数据和/或程序在内的另一扇区
同样的设备
PSRAM产品特点
•
功耗：
- 工作
：20 mA最大
- 待机
： 70 μA（最大值）
- 关机： 10 μA（最大值）
•
掉电控制由CE2r
•
字节写控制：
LB
（ DQ
7
-DQ
0
),
UB
（ DQ
15
-DQ
8
)
•
4个字地址接入能力
•
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之前依靠任何公开信息及订货产品之前获得此设备规范的最新版本。 FlexBankTM是商标
富士通公司，日本。嵌入式擦除
TM
和嵌入式程序
TM
是Advanced Micro Devices ， Inc.的商标。
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初步信息牧师00A
08/01/02
1
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
