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    62WV5128ALL 参数 Datasheet PDF下载

    62WV5128ALL图片预览
    型号： 62WV5128ALL
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 512K ×8低电压，超低功耗CMOS静态RAM [512K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 14 页 / 85 K
    品牌： ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
     浏览型号62WV5128ALL的Datasheet PDF文件第4页浏览型号62WV5128ALL的Datasheet PDF文件第5页浏览型号62WV5128ALL的Datasheet PDF文件第6页浏览型号62WV5128ALL的Datasheet PDF文件第7页浏览型号62WV5128ALL的Datasheet PDF文件第9页浏览型号62WV5128ALL的Datasheet PDF文件第10页浏览型号62WV5128ALL的Datasheet PDF文件第11页浏览型号62WV5128ALL的Datasheet PDF文件第12页  
    IS62WV5128ALL,
    IS62WV5128BLL
    ISSI
    55纳秒
    分钟。
    马克斯。
    55
    45
    45
    0
    0
    40
    25
    0
    —
    5
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    20
    —
    70纳秒
    分钟。马克斯。
    70
    60
    60
    0
    0
    50
    30
    0
    —
    5
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    20
    —
    单位
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ®
    写周期开关特性
    (1,2)
    （以上经营范围）
    符号
    参数
    写周期时间
    CS1
    撰写完
    地址建立时间撰写完
    从写端地址保持
    地址建立时间
    WE
    脉冲宽度
    数据建立到写结束
    从写端数据保持
    WE
    从低到高-Z输出
    WE
    前高后低-Z输出
    t
    WC
    t
    SCS1
    t
    AW
    t
    HA
    t
    SA
    t
    PWE
    t
    SD
    t
    HD
    t
    HZWE
    (3)
    t
    LZWE
    (3)
    注意事项：
    1.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间，定时0.9V / 1.5V ， 0.4V的输入脉冲电平为参考水平
    V
    DD
    -0.2V/V
    DD
    在图1中规定-0.3V和输出负载。
    2.内部写入时间由的重叠限定
    CS1
    低，
    WE
    低。所有信号必须在有效状态开始写，但任何一个可以去到不活跃
    终止写入。的数据输入的建立和保持时间是参照该结束写入的信号的上升或下降沿。
    3.在图测试与负载2的过渡，从稳态电压测量± 500毫伏。未经100％测试。
    AC波形
    写周期NO 。 1 （ CS1
    控制，
    OE
    =高或低）
    t
    WC
    地址
    t
    SCS1
    t
    HA
    CS1
    t
    AW
    WE
    t
    SA
    t
    HZWE
    t
    PWE
    t
    LZWE
    高-Z
    DOUT
    数据中，未定义
    t
    SD
    t
    HD
    DIN
    DATA-内有效
    8
    集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com -
    1-800-379-4774
    REV 。一
    04/30/03

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