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61LV5128 参数 Datasheet PDF下载

61LV5128图片预览
型号: 61LV5128
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内容描述: 512K ×8高速CMOS静态RAM [512K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 75 K
品牌: ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
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IS61LV5128
ISSI
价值
-0.5〜 VCC + 0.5
-55到+125
-65到+150
1.0
单位
V
°C
°C
W
®
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
参数
相对于GND端子电压
在偏置温度
储存温度
功耗
注意事项:
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力等级的设备仅运行在
这些或任何上述其他条件在此业务部门所标明
规范是不是暗示。长期在绝对最大额定值条件下,其
期间可能会影响其可靠性。
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
10纳秒
V
CC
3.3V +10%, -5%
3.3V +10%, -5%
12纳秒, 15纳秒
V
CC
3.3V ± 10%
3.3V ± 10%
电容
(1,2)
符号
C
IN
C
I / O
参数
输入电容
输入/输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意事项:
1.测试开始后任何设计或工艺变化,可能会影响这些参数。
2.测试条件:T已
A
= 25 ° C,F = 1MHz时, VCC = 3.3V 。
集成的芯片解决方案,公司 - 1-800-379-4774
版本B
07/16/01
3