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61LV256 参数 Datasheet PDF下载

61LV256图片预览
型号: 61LV256
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内容描述: 32K ×8低压CMOS静态RAM [32K x 8 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 103 K
品牌: ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
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IS61LV256
写周期开关特性
(1,3)
(以上经营范围)
符号
参数
写周期时间
-12 NS
分钟。马克斯。
12
8
8
0
0
8
6
0
0
6
-15 NS
分钟。马克斯。
15
10
10
0
0
10
8
0
0
7
-20 NS
分钟。马克斯。
20
13
15
0
0
13
10
0
0
8
-25 NS
分钟。马克斯。
25
15
20
0
0
15
12
0
0
10
ISSI
®
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
(4)
t
SD
t
HD
t
HZWE
(2)
t
LZWE
(2)
CE
撰写完
地址建立时间撰写完
从写端地址保持
地址建立时间
WE
脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE
从低到高-Z输出
WE
前高后低-Z输出
注意事项:
1.测试条件假设为3ns或更少的信号转换时间,定时1.5V的参考电平, 0输入脉冲电平为3.0V和
在图1a中指定的输出负载。
2.测试,与图1b中的负荷。过渡测
±500
毫伏从稳态电压。未经100%测试。
3.内部写入时间由的重叠限定
CE
低,
WE
低。所有信号必须在有效状态开始写,
但任何一个可以变为无效,终止写入。数据输入建立时间和保持时间都参考的上升或下降
该终止写信号的边沿。
4.与测试
OE
高。
AC波形
写周期NO 。 1 (
WE
控制)
(1,2)
t
WC
地址
t
SCE
t
HA
CE
t
AW
WE
t
SA
t
HZWE
t
PWE
t
LZWE
高-Z
D
OUT
数据中,未定义
t
SD
t
HD
D
IN
DATA-内有效
2-6
集成的芯片解决方案,公司
牧师˚F 0296
SR81995LV61