IS42S32200
引脚功能
符号
A0-A10
PIN号
25至27
60至66
24
TYPE
输入引脚
功能（详细）
地址输入： A0 - A10在活动进行采样
ISSI
命令（行地址A0 - A10）和读/写命令（ A0 -A7
与A10限定自动预充电）选择一个位置从存储器阵列的
在各个银行。预充电命令时A10采样
确定是否所有银行都必须预充电（ A10 HIGH）或选择银行
BA0 ， BA1 （ LOW ） 。地址输入也是一个LOAD期间提供操作码
模式寄存器命令。
输入引脚
输入引脚
输入引脚
银行选择地址： BA0和BA1定义哪些银行ACTIVE ， READ ，
写或预充电命令被应用。
CAS ，
在与结合
RAS
和
WE ，
形成设备的命令。见
"Command真相Table"对设备命令的详细信息。
®
BA0 ， BA1
CAS
CKE
22,23
18
67
所述CKE输入确定CLK输入是否被使能。下一个上升沿
CLK信号的时候是CKE高的和无效的低电平时，将是有效的。当
CKE为低电平时，器件会在两种省电模式下，时钟挂起模式，
或自刷新模式。 CKE是一个异步输入。
CLK是主时钟输入此设备。除CKE ，所有输入到该
装置被同步于该引脚的上升沿取得。
该
CS
输入决定了装置内的指令输入是否被使能。
指令输入时启用
CS
低，与残疾人
CS
为HIGH 。该
设备保持在以前的状态时
CS
为高。
I / O0到I / O15的I / O引脚。 I / O通过这些引脚可以以字节为单位进行控制
使用DQM0 - DQM3销
CLK
CS
68
20
输入引脚
输入引脚
I / O0至
I/O31
2, 4, 5, 7, 8, 10,11,13
74,76,77,79,80,82,83,85
45,47,48,50,51,53,54,56
31,33,34,36,37,39,40,42
16,28,59,71
I / O引脚
DQM0
DQM3
输入引脚
DQMx控制THEL奥尔和I / O缓冲区的高位字节。在读取模式下，
输出缓冲器都发生在高阻状态。在写周期的输入数据
被屏蔽。当DQMx被采样到高，是一个输入掩码信号写
访问和输出使能信号，用于读访问。 I / O0到I / O7是
通过DQM0控制。 I / O8 throughI / O15由DQM1控制。 I / O16通过I /
O23由DQM2控制。 I / O24通过I / O31由DQM3控制。
RAS ，
与联
CAS
和
WE ，
形成设备的命令。见
＆ QUOT ;命令真值表＆ QUOT ;关于设备命令的详细信息资料。
WE ，
与联
RAS
和
CAS ，
形成设备的命令。见
＆ QUOT ;命令真值表＆ QUOT ;关于设备命令的详细信息资料。
V
CCQ
是输出缓冲器的电源。
V
CC
是设备内部电源。
GND
Q
是输出缓冲器地面。
GND是设备内部的地面上。
RAS
WE
V
CCQ
V
CC
GND
Q
GND
19
17
3,9,35,41,49,55,25,81
1,15,29,43
6,12,32,38,46,52,78,84
44,58,72,86
输入引脚
输入引脚
电源引脚
电源引脚
电源引脚
电源引脚
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
超前信息
08/14/03
牧师00B
3
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
