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41LV16100B-60TI 参数 Datasheet PDF下载

41LV16100B-60TI图片预览
型号: 41LV16100B-60TI
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内容描述: 1M ×16 ( 16兆位)动态RAM与EDO页模式 [1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE]
分类和应用:
文件页数/大小: 22 页 / 145 K
品牌: ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
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IS41LV16100B
AC特性
(续)
(1,2,3,4,5,6)
(推荐工作条件,除非另有说明。 )
-50
符号
t
WP
t
WPZ
t
RWL
t
CWL
t
WCS
t
DHR
t
OEH
t
DS
t
DH
t
RWC
t
RWD
t
CWD
t
AWD
t
PC
t
RASP
t
注册会计师
t
PRWC
t
COH
t
关闭
t
WHZ
t
CLCH
t
企业社会责任
t
CHR
t
ORD
t
REF
t
T
参数
WRITE命令的脉冲宽度
(17)
WE
脉冲宽度禁用输出
写命令
RAS
交货时间
(17)
写命令
CAS
交货时间
(17, 21)
写命令设置时间
(14, 17, 20)
数据保持时间(参考
RAS )
OE
从保持时间
WE
读 - 修改 - 写周期
(18)
数据的建立时间
(15, 22)
数据保持时间
(15, 22)
读 - 修改 - 写周期时间
RAS
to
WE
在延迟时间
读 - 修改 - 写周期
(14)
CAS
to
WE
延迟时间
(14, 20)
列地址为
WE
延迟时间
(14)
EDO页面模式读取或写入
周期
(24)
RAS
在EDO页模式脉冲宽度
访问时间从
CAS
预充电
(15)
EDO页面模式读写
周期
(24)
数据输出保持后
CAS
输出缓冲关断延迟从
CAS
or
RAS
(13,15,19, 29)
输出禁用延迟从
WE
LAST
CAS
将低到第一
CAS
返回HIGH
(23)
CAS
建立时间( CBR刷新)
(30, 20)
CAS
保持时间( CBR刷新)
(30, 21)
OE
建立时间之前,
RAS
HIDDEN刷新周期
自动刷新周期( 1024周期)
转换时间(上升或下降)
(2, 3)
分钟。
8
10
13
8
0
39
14
0
8
110
65
26
40
30
50
56
5
3
3
10
5
8
0
3
马克斯。
100K
30
12
10
16
50
分钟。
10
10
15
15
0
40
15
0
15
155
85
40
55
40
60
56
5
3
3
10
5
10
0
3
-60
马克斯。
100K
35
15
15
16
50
ISSI
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ns
®
8
集成的芯片解决方案,公司 - www.issi.com -
1-800-379-4774
版本B
04/13/05