IS41LV16100B
功能说明
该IS41LV16100B针对高端的CMOS DRAM优化
高速带宽，低功耗的应用。在读或
写周期，每一位通过独特的解决
16个地址位。这些输入10位（ A0- A9）在时刻。
的行地址由行地址选通锁存
性（RAS） 。列地址由列锁存
地址选通（ CAS） 。
RAS
用于锁存所述第一9位
和
CAS
用于锁存后者9位。
该IS41LV16100B有两个
CAS
控制，
LCAS
和
UCAS 。
该
LCAS
和
UCAS
输入在内部生成一个
CAS
信号
以相同的方式与单功能
CAS
输入ON
其他1M ×16的DRAM 。在关键的区别是，每个
CAS
控制其相应的I / O的三态逻辑（结合
OE
和
WE
和
RAS ） 。 LCAS
控制I / O 0至I / O7与
UCAS
控制I / O 8通过I / O15 。
该IS41LV16100B
CAS
函数由第一确定
CAS
（ LCAS或
UCAS ）
过渡LOW和最后一个
转换回HIGH 。两
CAS
控制给
IS41LV16100B两个字节读和字节写周期
的能力。
ISSI
自动刷新周期
®
保留数据， 1024刷新周期需要在每
16毫秒的时间。有两种方法来刷新存储器。
1.计时每1024行地址（ A0到A9 ）
同
RAS
至少每隔128毫秒。任何读，写，读
修改 - 写或
RAS-只
周期刷新寻址的行。
2.使用
CAS先于RAS
刷新周期。
CAS-直至─
RAS
刷新由下降沿激活
RAS ，
同时举行
CAS
低。在
CAS先于RAS
刷新
周期，内部9位计数器提供的行AD-
礼服和外部地址输入将被忽略。
CAS先于RAS
是刷新-only模式，没有数据
访问或设备的选择是允许的。因此，输出
在循环过程中保持在高阻状态。
扩展数据输出页面模式
EDO页面模式操作允许之内的所有1024列
所选择的行以高数据速率进行随机访问。
在EDO页面模式读取周期，数据输出被保持到
NEXT
CAS
周期的下降沿，而不是上升沿边缘。
出于这个原因，在EDO页中的有效数据输出时间
用快速页面模式相比方式被延长。在
在快速页面方式中，有效数据输出时间变
较短的
CAS
周期时间变短。 There-
脱颖而出，在EDO页模式，定时在读周期保证金
比的快速页面模式，即使大
CAS
周期时间变短。
在EDO页模式中，由于扩展的数据的功能，该
CAS
周期时间可以比在快速页面模式短
如果定时余量是相同的。
江户时代页面模式允许同时读取和写入操作
在一个系统蒸发散
RAS
周期，但性能
等同于在此情况下，快速页模式。
POWER- ON
应用在V后
DD
供应的初始暂停
200 μs的需要之后至少8
初始化周期（周期的任意组合载
荷兰国际集团一
RAS
信号）。
上电过程中，则建议
RAS
与跟踪
V
DD
或在一个有效的V举行
IH
为了避免电流浪涌。
存储周期
存储器周期是由带启动
RAS
低，这是
通过返回两个终止
RAS
和
CAS
HIGH 。对
保证器件正常工作和数据完整性的任何
存储器周期，一旦启动，不能结束或
最低吨前中止
RAS
时间已经过期。新
周期不能启动，直到最小的预充电
时间T
RP
, t
CP
是否已经过去。
读周期
读周期由下降沿启动
CAS
or
OE ，
为准过去，一边拿着
WE
HIGH 。列
地址必须持有经t指定的最小时间
AR
.
数据输出变为有效只有当T
RAC
, t
AA
, t
CAC
和T
OEA
都不满意。其结果是，在存取时间取决于
这些参数之间的时序关系。
写周期
写周期是由下降沿启动
CAS
和
WE ，
为准过去。输入数据必须是有效的或
下降沿之前
CAS
or
WE ，
以先到为准。
4
集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com -
1-800-379-4774
版本B
04/13/05
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
