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IS61C256AL-12JLI 参数 Datasheet PDF下载

IS61C256AL-12JLI图片预览
型号: IS61C256AL-12JLI
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内容描述: 32K ×8高速CMOS静态RAM [32K X 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 12 页 / 98 K
品牌: ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
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IS61C256AL
DATA RETENTION SWITCHING CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
V
DD
for Data Retention
Data Retention Current
Data Retention Setup Time
Recovery Time
Test Condition
See Data Retention Waveform
V
DD
= 2.0V,
CE
V
DD
– 0.2V
V
IN
V
DD
– 0.2V, or V
IN
V
SS
+ 0.2V
See Data Retention Waveform
See Data Retention Waveform
Com.
Ind.
Min.
2.0
0
50
Typ.
(1)
ISSI
Max.
5.5
90
100
Unit
V
µA
ns
ns
®
V
DR
I
DR
t
SDR
t
RDR
Note:
t
RC
1. Typical Values are measured at V
DD
= 5V, T
A
= 25
o
C and not 100% tested.
DATA RETENTION WAVEFORM (CE Controlled)
CE
t
SDR
VDD
4.5V
Data Retention Mode
t
RDR
2.2V
V
DR
CE
VDD - 0.2V
CE
GND
8
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. B
10/23/06