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    IC41C82002S-50T 参数 Datasheet PDF下载

    IC41C82002S-50T图片预览
    型号： IC41C82002S-50T
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [EDO DRAM, 2MX8, 50ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, TSOP2-28]
    分类和应用： 动态存储器光电二极管内存集成电路
    文件页数/大小： 19 页 / 494 K
    品牌： ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
     浏览型号IC41C82002S-50T的Datasheet PDF文件第9页浏览型号IC41C82002S-50T的Datasheet PDF文件第10页浏览型号IC41C82002S-50T的Datasheet PDF文件第11页浏览型号IC41C82002S-50T的Datasheet PDF文件第12页浏览型号IC41C82002S-50T的Datasheet PDF文件第14页浏览型号IC41C82002S-50T的Datasheet PDF文件第15页浏览型号IC41C82002S-50T的Datasheet PDF文件第16页浏览型号IC41C82002S-50T的Datasheet PDF文件第17页  
    IC41C82002S  
    IC41LV82002S  
    EDO-PAGE-MODE READ CYCLE  
    Note:  
    1. tPC can be measured from falling edge of CAS to falling edge of CAS, or from rising edge of CAS to rising edge of CAS. Both  
    measurements must meet the tPC specifications.  
    Integrated Circuit Solution Inc.  
    DR022-0A 08/20/2001  
    13  

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