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IC41C44002-60J 参数 Datasheet PDF下载

IC41C44002-60J图片预览
型号: IC41C44002-60J
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内容描述: [EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24]
分类和应用: 动态存储器光电二极管内存集成电路
文件页数/大小: 20 页 / 196 K
品牌: ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
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IC41C4400x and IC41LV4400x Series  
EDO-PAGE-MODE READ-WRITE CYCLE (LATE WRITE and READ-MODIFY WRITE Cycles)  
t
RASP  
t
RP  
RAS  
CAS  
(1)  
tPC / tPRWC  
t
CSH  
t
RSH  
CLCH  
t
CRP  
t
RCD  
t
CAS,  
t
CLCH  
t
CP  
t
CAS,  
t
CLCH  
t
CP  
t
CAS,  
t
tCP  
t
AR  
t
ASR  
t
t
RAD  
t
RAL  
t
ASC  
t
CAH  
t
ASC  
t
CAH  
t
ASC  
tCAH  
RAH  
ADDRESS  
Row  
Column  
Column  
Column  
Row  
tRWD  
tRCS  
t
t
t
RWL  
CWL  
WP  
t
t
CWL  
WP  
t
t
CWL  
WP  
t
AWD  
t
AWD  
t
AWD  
t
CWD  
t
CWD  
t
CWD  
WE  
t
AA  
t
AA  
CPA  
t
AA  
tCPA  
t
t
RAC  
t
DH  
DS  
t
DH  
DS  
t
DH  
tDS  
t
t
t
CAC  
t
CAC  
t
CAC  
t
CLZ  
t
CLZ  
t
CLZ  
Open  
Open  
I/O  
OE  
DOUT  
DIN  
OD  
DOUT  
DIN  
OD  
DOUT  
DIN  
OD  
t
t
t
t
OE  
t
OE  
tOE  
t
OEH  
Note:  
1. tPC can be measured from falling edge of CAS to falling edge of CAS, or from rising edge of CAS to rising edge of CAS. Both  
measurements must meet the tPC specifications.  
Integrated Circuit Solution Inc.  
DR007-0B 10/17/2002  
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