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IC41C16100S-60KG 参数 Datasheet PDF下载

IC41C16100S-60KG图片预览
型号: IC41C16100S-60KG
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内容描述: [EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, LEAD FREE, SOJ-42]
分类和应用: 动态存储器光电二极管
文件页数/大小: 21 页 / 663 K
品牌: ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
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IC41C16100S  
IC41LV16100S  
EDO-PAGE-MODE READ-WRITE CYCLE (LATE WRITE and READ-MODIFY WRITE Cycles)  
t
RASP  
t
RP  
RAS  
(1)  
tPC / tPRWC  
t
CSH  
t
RSH  
CLCH  
t
CRP  
t
RCD  
t
CAS,  
t
CLCH  
t
CP  
t
CAS,  
t
CLCH  
t
CP  
t
CAS,  
t
tCP  
UCAS/LCAS  
t
AR  
t
ASR  
t
t
RAD  
t
RAL  
t
ASC  
t
CAH  
t
ASC  
t
CAH  
t
ASC  
tCAH  
RAH  
ADDRESS  
Row  
Column  
Column  
Column  
Row  
tRWD  
tRCS  
t
t
t
RWL  
CWL  
WP  
t
t
CWL  
WP  
t
t
CWL  
WP  
t
AWD  
t
AWD  
t
AWD  
t
CWD  
t
CWD  
t
CWD  
WE  
t
AA  
t
AA  
CPA  
t
AA  
tCPA  
t
t
RAC  
t
DH  
DS  
t
DH  
DS  
t
DH  
tDS  
t
t
t
CAC  
t
CAC  
t
CAC  
t
CLZ  
t
CLZ  
t
CLZ  
Open  
Open  
I/O  
OE  
DOUT  
D
IN  
DOUT  
D
IN  
DOUT  
D
IN  
t
OD  
t
OD  
t
OD  
t
OE  
t
OE  
tOE  
t
OEH  
Undefined  
Don’t Care  
Note:  
1. tPC can be measured from falling edge of CAS to falling edge of CAS, or from rising edge of CAS to rising edge of CAS. Both  
measurements must meet the tPC specifications.  
16  
Integrated Circuit Solution Inc.  
DR010-0D 11/26/2004  
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