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    IC41C8512-50T 参数 Datasheet PDF下载

    IC41C8512-50T图片预览
    型号： IC41C8512-50T
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [EDO DRAM, 512KX8, 50ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, TSOP2-28]
    分类和应用： 动态存储器光电二极管内存集成电路
    文件页数/大小： 21 页 / 202 K
    品牌： ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
     浏览型号IC41C8512-50T的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IC41C8512-50T的Datasheet PDF文件第8页浏览型号IC41C8512-50T的Datasheet PDF文件第9页浏览型号IC41C8512-50T的Datasheet PDF文件第10页浏览型号IC41C8512-50T的Datasheet PDF文件第12页浏览型号IC41C8512-50T的Datasheet PDF文件第13页浏览型号IC41C8512-50T的Datasheet PDF文件第14页浏览型号IC41C8512-50T的Datasheet PDF文件第15页  
    IC41C8512  
    IC41LV8512  
    READ CYCLE  
    t
    RC  
    t
    RAS  
    t
    RP  
    RAS  
    t
    CSH  
    t
    RSH  
    t
    RRH  
    t
    CRP  
    ASR  
    t
    CAS CLCH  
    t
    t
    RCD  
    CAS  
    t
    AR  
    t
    RAD  
    tRAL  
    t
    t
    RAH  
    t
    CAH  
    t
    ASC  
    ADDRESS  
    WE  
    Row  
    Column  
    Row  
    t
    RCS  
    t
    RCH  
    t
    AA  
    t
    RAC  
    (1)  
    OFF  
    t
    t
    CAC  
    CLZ  
    t
    Open  
    Open  
    Valid Data  
    I/O  
    OE  
    t
    OE  
    tOD  
    t
    OES  
    Undefined  
    Don’t Care  
    Note:  
    1. tOFF is referenced from rising edge of RAS or CAS, whichever occurs last.  
    Integrated Circuit Solution Inc.  
    DR029-0A 09/28/2001  
    11  

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