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41LV16100B-50K 参数 Datasheet PDF下载

41LV16100B-50K图片预览
型号: 41LV16100B-50K
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内容描述: 1M ×16 ( 16兆位)动态RAM与EDO页模式 [1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE]
分类和应用:
文件页数/大小: 22 页 / 145 K
品牌: ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
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®
ISSI  
IS41LV16100B  
EDO-PAGE-MODE READ-WRITE CYCLE (LATE WRITE and READ-MODIFY WRITE Cycles)  
t
RASP  
t
RP  
RAS  
(1)  
tPC / tPRWC  
t
CSH  
t
RSH  
CLCH  
t
CRP  
t
RCD  
t
CAS,  
t
CLCH  
t
CP  
t
CAS,  
t
CLCH  
t
CP  
t
CAS,  
t
tCP  
UCAS/LCAS  
t
AR  
t
ASR  
t
t
RAD  
t
RAL  
t
ASC  
t
CAH  
t
ASC  
t
CAH  
t
ASC  
tCAH  
RAH  
ADDRESS  
Row  
Column  
Column  
Column  
Row  
tRWD  
tRCS  
t
t
t
RWL  
CWL  
WP  
t
t
CWL  
WP  
t
t
CWL  
WP  
t
AWD  
t
AWD  
t
AWD  
t
CWD  
t
CWD  
t
CWD  
WE  
t
AA  
t
AA  
CPA  
t
AA  
tCPA  
t
t
RAC  
t
DH  
DS  
t
DH  
DS  
t
DH  
tDS  
t
t
t
CAC  
t
CAC  
t
CAC  
t
CLZ  
t
CLZ  
t
CLZ  
Open  
Open  
I/O  
DOUT  
DIN  
DOUT  
DIN  
DOUT  
DIN  
t
OD  
t
OD  
t
OD  
t
OE  
t
OE  
tOE  
t
OEH  
OE  
Undefined  
Don’t Care  
Note:  
1. tPC can be measured from falling edge of CAS to falling edge of CAS, or from rising edge of CAS to rising edge of CAS. Both  
measurements must meet the tPC specifications.  
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774  
Rev. B  
15  
04/13/05