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STP75NF75 参数 Datasheet PDF下载

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型号: STP75NF75
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内容描述: ISC N沟道MOSFET晶体管 [isc N-Channel MOSFET Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 95 K
品牌: ISC [ INCHANGE SEMICONDUCTOR COMPANY LIMITED ]
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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC N沟道MOSFET晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
STP75NF75
最大
单位
V
( BR ) DSS
漏源击穿电压
V
GS
= 0; I
D
= 0.25毫安
75
V
V
GS
(日
)
栅极阈值电压
V
DS
= V
GS
; I
D
= 0.25毫安
2
4
V
R
DS (
on
)
漏源导通电阻
V
GS
= 10V ;我
D
= 40A
0.011
Ω
I
GSS
门体漏电流
V
GS
=
±20V;V
DS
= 0
V
DS
= 75V; V
GS
= 0
V
DS
= 75V; V
GS
= 0; T
j
= 125℃
I
S
= 80A ; V
GS
=0
±100
1
10
1.5
nA
I
DSS
零栅极电压漏极电流
μA
V
SD
在正向电压
V
·
ISC的网站: www.iscsemi.cn