IRF740 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF740
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内容描述：	N沟道场效应晶体管的晶体管 [N-Channel MOSFET Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小：	2 页 / 241 K
品牌：	ISC [ INCHANGE SEMICONDUCTOR COMPANY LIMITED ]

INCHANGE半导体

ISC

产品speci fi cation

ISC N沟道MOSFET晶体管

ⅵELECTRICAL

特性（T

=25℃)

符号

（ BR ） DSS

GS （ TH）

DS （ ON）

GSS

DSS

参数

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏源导通电阻的阶段

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

二极管的正向电压

条件

=0; I

= 0.25毫安

= V

; I

= 0.25毫安

= 10V ;我

= 5A

±20V;

= 0

= 400V; V

= 0

= 10A ; V

= 0

民

400

IRF740

最大

单位

0.55

±500

250

2.2

.CN

。是

ISC的网站： www.iscsemi.cn

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