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型号: IRF730
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内容描述: N沟道场效应晶体管的晶体管 [N-channel mosfet transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 37 K
品牌: ISC [ INCHANGE SEMICONDUCTOR COMPANY LIMITED ]
   
MOSFET
INCHANGE
IRF730
N沟道场效应晶体管的晶体管
特点
·带
的TO-220封装
●简单
DRIVE要求
·快速
开关
・V
DSS
= 400V ; ř
DS ( ON)
≤1.0Ω;I
D
=5.5A
・1.gate
2.drain 3.source
123
绝对最大额定值TC = 25 ℃
符号
V
DSS
V
GS
I
D
P
合计
T
j
T
英镑
参数
漏源电压(V
GS
=0)
栅源电压
漏电流连续@ T
C
=25℃
总功耗@ T
C
=25℃
马克斯。工作结温
储存温度
等级
400
±20
5.5
74
150
-65~150
单位
V
V
A
W
TO-220
电气特性TC = 25 ℃
符号
参数
条件
最大
单位
V
( BR ) DSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
I
GSS
I
DSS
V
SD
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻的阶段
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
二极管的正向电压
V
GS
=0; I
D
=0.25mA
V
DS
= V
GS
; I
D
=0.25mA
V
GS
= 10V ;我
D
=3.3A
V
GS
=
±20V
;V
DS
=0
V
DS
=400V; V
GS
=0
I
F
= 5.5A ; V
GS
=0
400
2
4
1.0
±100
V
V
Ω
nA
uA
V
25
1.6