IRF640 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF640
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内容描述：	ISC N沟道MOSFET晶体管 [isc N-Channel MOSFET Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	2 页 / 162 K
品牌：	ISC [ INCHANGE SEMICONDUCTOR COMPANY LIMITED ]

INCHANGE半导体

ISC

产品speci fi cation

ISC N沟道MOSFET晶体管

IRF640

描述

·漏

目前“我

= 18A @ T

=25℃

·漏

源电压 -

: V

DSS

= 200V （最小值）

“静态

漏源导通电阻

: R

DS （ ON）

= 0.18Ω （最大）

·快速

开关速度

ULOW

驱动要求

应用

·设计

低电压，高速功率开关

应用，如开关稳压器，转换器，

电磁阀和继电器驱动器。

绝对最大额定值（T

=25℃)

符号

DSS

合计

英镑

ARAMETER

漏源电压（V

=0)

栅源电压

漏电流连续@ TC = 25 ℃

总功耗@ TC = 25 ℃

马克斯。工作结温

存储温度范围

价值

200

±20

125

150

-55~150

单位

℃

热特性

符号

第j个-C

日J-一

参数

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

最大

1.0

62.5

单位

℃/W

ISC的网站： www.iscsemi.cn

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