IRF630 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF630
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内容描述：	N沟道场效应晶体管的晶体管 [N-channel mosfet transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	1 页 / 115 K
品牌：	ISC [ INCHANGE SEMICONDUCTOR COMPANY LIMITED ]

MOSFET

INCHANGE

IRF630

N沟道场效应晶体管的晶体管

特点

·带

的TO-220封装

ULOW

导通状态和热阻

·快速

开关

・V

DSS

= 200V ; ř

DS （ ON）

≤0.4Ω;I

=9A

・1.gate

2.drain 3.source

123

绝对最大额定值TC = 25 ℃

符号

DSS

合计

英镑

参数

漏源电压（V

=0)

栅源电压

漏电流连续@ TC = 25 ℃

总功耗@ TC = 25 ℃

等级

200

±20

150

单位

℃

符号

昂

Tc=25℃

电气特性

参数

固电

马克斯。工作结温

储存温度

导�½�

半

-65~150

MIC

条件

DUT

民

最大

TO-220

单位

（ BR ） DSS

GS （ TH）

DS （ ON）

GSS

DSS

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏源导通电阻的阶段

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

二极管的正向电压

=0; I

=0.25mA

= V

; I

=1mA

= 10V ;我

=5.4A

±20V

=200V; V

= 9A ; V

200

400

±100

mΩ

1.2

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