IRF630B 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF630B
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内容描述：	ISC N沟道MOSFET晶体管 [isc N-Channel MOSFET Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	2 页 / 120 K
品牌：	ISC [ INCHANGE SEMICONDUCTOR COMPANY LIMITED ]

INCHANGE半导体

ISC

产品speci fi cation

ISC N沟道MOSFET晶体管

ⅵELECTRICAL

特性（T

=25℃)

符号

参数

条件

民

IRF630B

最大

单位

（ BR ） DSS

漏源击穿电压

= 0; I

= 0.25毫安

200

GS （

)

栅极阈值电压

= V

; I

= 0.25毫安

DS （

)

漏源导通电阻的阶段

= 10V ;我

= 4.5A

0.4

GSS

门源漏电流

±30V;

= 0

±100

DSS

零栅极电压漏极电流

= 200V; V

= 0

二极管的正向电压

= 9A ; V

= 0

1.5

ISC的网站： www.iscsemi.cn

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