7N60 参数 Datasheet PDF下载

型号：	7N60
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内容描述：	ISC N沟道MOSFET晶体管 [isc N-Channel Mosfet Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	2 页 / 111 K
品牌：	ISC [ INCHANGE SEMICONDUCTOR COMPANY LIMITED ]

INCHANGE半导体

ISC

产品speci fi cation

ISC N沟道MOSFET晶体管

电气特性

= 25 ℃除非另有规定

符号

参数

条件

民

7N60

最大

单位

（ BR ） DSS

漏源击穿电压

= 0; I

= 0.25毫安

600

（日

)

栅极阈值电压

= V

; I

= 0.25毫安

DS （

)

GSS

漏源导通电阻

= 10V ;我

= 3.5A

±20V;V

= 0

1.0

±100

门体漏电流

μA

DSS

零栅极电压漏极电流

= 600V; V

= 0

在正向电压

= 7A ; V

= 0

1.8

ISC的网站： www.iscsemi.cn

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