IRF630B 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF630B
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内容描述：	ISC N沟道MOSFET晶体管 [isc N-Channel MOSFET Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	2 页 / 120 K
品牌：	ISC [ INCHANGE SEMICONDUCTOR COMPANY LIMITED ]

INCHANGE Semiconductor

isc

Product Specification

isc N-Channel MOSFET Transistor

·ELECTRICAL

CHARACTERISTICS (T

=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

IRF630B

MAX

UNIT

(BR)DSS

Drain-Source Breakdown Voltage

= 0; I

= 0.25mA

200

GS(

)

Gate Threshold Voltage

= V

; I

= 0.25mA

DS(

)

Drain-Source On-stage Resistance

= 10V; I

= 4.5A

0.4

GSS

Gate Source Leakage Current

±30V;

= 0

±100

DSS

Zero Gate Voltage Drain Current

= 200V; V

= 0

Diode Forward Voltage

= 9A; V

= 0

1.5

isc Website：www.iscsemi.cn

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