BU508A 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BU508A
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内容描述：	无锡固电半导体股份有限公司ISC成立于1991年，是半导体器件的专业厂家，生产NPN和PNP晶体管、场效应管MOSFET、高频晶体管、达林顿三极管、高反压三极管、中高频放大三极管、低噪声放大三极管、带阻三极管、开关三极管等，品种多达4000多种，可用于音响、超声波、雾化器、点火器、彩色电视机、电源、汽车电子、加湿器、LED节能灯、电子镇流器等领域。 [无锡固电半导体股份有限公司ISC成立于1991年，是半导体器件的专业厂家, 生产NPN和PNP晶体管、场效应管MOSFET、高频晶体管、达林顿三极管、高反压三极管、中高频放大三极管、低噪声放大三极管、带阻三极管、开关三极管等，品种多达4000多种，可用于音响、超声波、雾化器、点火器、彩色电视机、电源、汽车电子、加湿器、LED节能灯、电子镇流器等领域。 ]
分类和应用：	晶体半导体开关晶体管电视电子局域网
文件页数/大小：	3 页 / 198 K
品牌：	ISC [ INCHANGE SEMICONDUCTOR COMPANY LIMITED ]

INCHANGE Semiconductor

isc

Product Specification

isc

Silicon NPN Power Transistor

BU508A

DESCRIPTION

·Collector-Emitter

Sustaining Voltage-

: V

CEO(SUS)

= 800V (Min)

·High

Power Dissipation-

: P

= 125W@T

= 25

℃

APPLICATIONS

·Designed

for use in large screen color deflection circuits.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

=25

℃)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

CES

Collector- Emitter Voltage(V

= 0)

1500

CEO

Collector-Emitter Voltage

800

EBO

Emitter-Base Voltage

Collector Current- Continuous

Collector Current-Peak

Base Current- Continuous

Base Current-Peak

Collector Power Dissipation

@ T

=25℃

Junction Temperature

125

℃

150

stg

Storage Temperature Range

-65~150

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

℃/W

th j-c

Thermal Resistance,Junction to Case

1.0

isc website：www.iscsemi.cn

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