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    7N60 参数 Datasheet PDF下载

    7N60图片预览
    型号： 7N60
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道场效应晶体管的晶体管 [N-Channel Mosfet Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 2 页 / 239 K
    品牌： ISC [ INCHANGE SEMICONDUCTOR COMPANY LIMITED ]
     浏览型号7N60的Datasheet PDF文件第1页  
    INCHANGE Semiconductor
    isc
    Product Specification
    isc N-Channel Mosfet Transistor
    ELECTRICAL CHARACTERISTICS
    T
    C
    =25℃ unless otherwise specified
    SYMBOL
    PARAMETER
    CONDITIONS
    MIN
    7N60
    MAX
    UNIT
    V
    (BR)DSS
    Drain-Source Breakdown Voltage
    V
    GS
    = 0; I
    D
    = 0.25mA
    600
    V
    V
    GS
    (th
    )
    Gate Threshold Voltage
    V
    DS
    = V
    GS
    ; I
    D
    = 0.25mA
    2
    4
    V
    Ω
    R
    DS(
    on
    )
    I
    GSS
    Drain-Source On-Resistance
    V
    GS
    = 10V; I
    D
    = 3.5A
    V
    GS
    =
    ±20V;V
    DS
    = 0
    1.0
    ±100
    Gate-Body Leakage Current
    nA
    μA
    I
    DSS
    Zero Gate Voltage Drain Current
    V
    DS
    = 600V; V
    GS
    = 0
    1
    V
    SD
    Forward On-Voltage
    ·
    w
    .cn
    i
    em
    cs
    .is
    w
    w
    I
    S
    = 7A; V
    GS
    = 0
    1.8
    V
    isc Website：www.iscsemi.cn

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