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RT1P441M 参数 Datasheet PDF下载

RT1P441M图片预览
型号: RT1P441M
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内容描述: TRANSISTER与电阻开关应用PNP硅外延型 [TRANSISTER WITH RESISTOR FOR SWITCHING APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE]
分类和应用: 晶体开关晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 143 K
品牌: ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]
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RT1P141X系列
最大额定值( TA = 25 ℃ )
符号
CBO
EBO
CEO
CM
T�½�
T�½��½��½�
参数
集电极 - 基极电压
发射器基极电压
集电极到发射极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散( TA = 25 ℃ )
结温
储存温度
RT1P441T
RT1P441U
等级
RT1P441M
-50
-10
-50
-100
-200
150
\u003c晶体管\u003e
晶体管,电阻器
对于开关应用
PNP硅外延型
RT1P441C
RT1P441S
单位
V
V
V
mA
mA
mW
125(※)
+125
-55�½�+125
125
450
+150
-55�½�+150
( ※ )包装在9毫米× 19毫米× 1毫米玻璃环氧基板。
电气特性(Ta = 25℃)
符号
(BR)CEO
CBO
�½�
FE
CE(�½��½��½�)
I(ON)
I(OFF)
/R
�½�
参数
C至ê击穿电压
收藏家切断电流
正向直流电流增益
Ç到E饱和电压
输入电压
输入过电压
输入阻抗
电阻率
增益带宽积
测试条件
I
C
=-100μA,R
BE
=∞
V
CB
=-50V,I
E
=0
V
CE
=-5V,I
C
=-5mA
I
C
=-10mA,I
B
=-0.5mA
V
CE
=-0.2V,I
C
=-5mA
V
CE
=-5V,I
C
=-100μA
-50
50
-0.1
-2.3
-1.1
47
1.0
150
-0.3
-5.0
61
1.1
极限
典型值
最大
-0.1
单位
V
μA
V
V
V
兆赫
-0.8
33
0.9
V
CE
=-6V,I
E
=10mA
典型特征
输入电压-C
ollector电流
输入电压I O )V
V ( N ( )
-10
正向直流电流增益
的hFE
1000
直流正向电流增益集电极电流
100
-1
10
-0.1
-1
-10
C
ollector current IC(�½�
A)
集电极当前的C μ )
I ( A
-1000
C
ollector电流输入过电压
-100
1
-1
-10
C
ollector current IC(�½�
A)
-100
-100
-10
-0
-0.4
-0.8
-1.2
-1.6
输入过电压
VI(OFF)(V)
-2
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