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RT1P436S 参数 Datasheet PDF下载

RT1P436S图片预览
型号: RT1P436S
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内容描述: 晶体管,电阻,开关应用PNP硅外延型 [Transistor With Resistor For Switching Application Silicon PNP Epitaxial Type]
分类和应用: 晶体开关晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 55 K
品牌: ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]
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R 1 3 X系列
TP3X
最大额定值( TA = 25 ℃ )
符号
BO
BO
EO
 M
�½�
T�½�
�½��½�
参数
集电极 - 基极电压
发射器基极电压
集电极到发射极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散( TA = 25 ℃ )
结温
储存温度
RT1P436U
等级
RT1P436M
RT1P436C
-50
-6
-50
-100
-200
200
+150
-55∼+150
晶体管
晶体管,电阻器
对于开关应用
PNP硅外延型
RT1P436S
单位
V
V
V
mA
mA
mW
极限
典型值
150
+150
-55∼+150
450
电气特性(Ta = 25℃)
符号
BR)CEO
C O
 B
�½�
E �½��½�
C (�½�)
( N
IO )
( F )
IO F
R /R
�½�
参数
C至ê击穿电压
收藏家切断电流
正向直流电流增益
Ç到E饱和电压
输入电压
输入过电压
输入阻抗
电阻率
增益带宽积
测试条件
I
 C
=-100μA,R
BE
=∞
V
CB
=-50V,I
 E
=0
V
CE
=-5V,I
 C
=-10mA
I
 C
=-10mA,I
 B
=-0.5mA
V
CE
=-0.2V,I
 C
=-5mA
V
CE
=-5V,I
 C
=-100μA
-50
80
-0.1
-0.8
-0.6
4.7
10
150
-0.3
-1.4
6.1
12
最大
-0.1
单位
V
μA
V
V
V
兆赫
-0.4
3.3
8
V
CE
=-6V,I
 E
=10mA
典型特征
输入电压
vs.collector电流
正向直流电流增益
vs.collector电流
-10
正向直流电流增益※
�½�
输入ON VOLTEGE
我(上)
( )
1000
V
CE
=-0.2V
V
CE
=-5V
-1
100
-0.1
-1
-10
-100
集电极电流
( A
I �½� )
集电极电流
VS.INPUT断电压
10
-1
-10
-100
集电极电流
( A
I�½� )
-1000
集电极电流
μA
I( )
V
CE
=-5V
-100
-10
0
-0.4
-0.8
-1.2
-1.6
-2
输入电压OFF
IO F
( )
(F )
谏早
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