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RT1P237C 参数 Datasheet PDF下载

RT1P237C图片预览
型号: RT1P237C
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内容描述: 晶体管,电阻器,用于切换应用NPN硅外延型 [Transistor With Resistor For Switching Application Silicon NPN Epitaxial Type]
分类和应用: 晶体电阻器晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 115 K
品牌: ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]
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RT1P141X系列
\u003c晶体管\u003e
晶体管,电阻器
对于开关应用
PNP硅外延型
最大额定值( TA = 25 ℃ )
符号
CBO
EBO
CEO
CM
T�½�
T�½��½��½�
参数
集电极 - 基极电压
发射器基极电压
集电极到发射极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散( TA = 25 ℃ )
RT1P237T
RT1P237U
等级
RT1P237M
-50
-6
-50
-100
-200
RT1P237C
RT1P237S
单位
V
V
V
mA
mA
mW
结温
储存温度
125(※)
+125
-55�½�+125
150
200
+150
-55�½�+150
450
( ※ )包装在9毫米× 19毫米× 1毫米玻璃环氧基板。
电气特性(Ta = 25℃)
符号
(BR)CEO
CBO
�½�
FE
CE(�½��½��½�)
I(ON)
I(OFF)
/R
�½�
参数
C至ê击穿电压
收藏家切断电流
正向直流电流增益
Ç到E饱和电压
输入电压
输入过电压
输入阻抗
电阻率
增益带宽积
测试条件
I
C
=-100μA,R
BE
=∞
V
CB
=-50V,I
E
=0
V
CE
=-5V,I
C
=-10mA
I
C
=-10mA,I
B
=-0.5mA
V
CE
=-0.2V,I
C
=-5mA
V
CE
=-5V,I
C
=-100μA
-50
80
-0.7
-0.6
2.2
22
150
-0.3
-1.1
2.9
26
极限
典型值
最大
-0.1
单位
V
μA
V
V
V
兆赫
-0.5
1.5
17
V
CE
=-6V,I
E
=10mA
典型特征
IN P ü T ON V OL踏歌
V S. Ç OL L EC TOR Ç ú R R EN牛逼
D C F或W¯¯ A R D C ü R R EN的Tg A IN
V S. Ç OL L EC TOR Ç ú R R EN牛逼
-10
DC FORWARD CURRENT GAIN  �½�
FE
输入ON VOLTEGE V
我(上)
(V)
1000
V
CE
=-0.2V
V
CE
=-5V
-1
100
-0.1
-1
-10
-100
集电极电流I
(�½�A)
Ç OL L EC TOR Ç ú R R EN牛逼
V S. F大V OL踏歌的P ü牛逼
10
-1
-10
-100
集电极电流I
(�½�A)
-1000
集电极电流I
(μA)
V
CE
=-5V
-100
-10
0
-0.4
-0.8
-1.2
-1.6
输入OFF电压V
I(OFF)
(V)
-2
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