RT1P150C 参数 Datasheet PDF下载

型号：	RT1P150C
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内容描述：	晶体管，电阻器，用于切换应用NPN硅外延型 [Transistor With Resistor For Switching Application Silicon NPN Epitaxial Type]
分类和应用：	晶体电阻器晶体管
文件页数/大小：	3 页 / 115 K
品牌：	ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]

RT1P140X系列

最大额定值（ TA = 25 ℃ ）

符号

Ｖ

ＣＢＯ

Ｖ

ＥＢＯ

Ｖ

ＣＥＯ

Ｉ

Ｃ

Ｉ

ＣＭ

Ｐ

Ｃ

Ｔ�½�

Ｔ�½��½��½�

\u003c晶体管\u003e

晶体管，电阻器

对于开关应用

PNP硅外延型

等级

单位

RT1P150U

RT1P150M

RT1P150C

RT1P150S

集电极 - 基极电压

-50

发射器基极电压

-6

集电极到发射极电压

-50

集电极电流

-100

峰值集电极电流

-200

集电极耗散（ TA = 25 ℃ ）

150 200 450

结温

+150

℃

储存温度

-55�½�+150

℃

参数

极限

典型值

电气特性（Ta = 25℃）

符号

Ｖ

（ＢＲ）ＣＥＯ

Ｉ

ＣＢＯ

�½�

ＦＥ

Ｖ

ＣＥ（�½��½��½�）

Ｒ

１

�½�

Ｔ

参数

C至ê击穿电压

收藏家切断电流

正向直流电流增益

Ç到E饱和电压

输入阻抗

增益带宽积

测试条件

=-100μA，R

=∞

=-50V，I

=-5V，I

=-1mA

=-1mA，I

=-0.1mA

=-6V，I

民

-50

100

最大

-0.1

-0.3

单位

μA

－

kΩ

兆赫

=10mA

100

150

直流正向电流增益集电极电流

1000

VCE=-5V

集电极电流，输入电压关闭

-1000

VCE=-5V

正向直流电流增益hFE

集电极电流IC [微安]

100

-100

-1

-10

集电极电流IC [马]

-100

-10

-0

-0.5

-1

-1.5

-2

输入过电压VI （ OFF） [V]

输入电压集电极电流

-10

VCE=-200mV

输入上的电压VI （ON）， [V]的

-1

-0.1

-1

-10

-100

集电极电流IC [马]

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