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RT1P14BU 参数 Datasheet PDF下载

RT1P14BU图片预览
型号: RT1P14BU
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内容描述: 晶体管,电阻器,用于切换应用NPN硅外延型 [Transistor With Resistor For Switching Application Silicon NPN Epitaxial Type]
分类和应用: 晶体电阻器晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 114 K
品牌: ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]
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RT1P140X系列
最大额定值( TA = 25 ℃ )
符号
CBO
EBO
CEO
CM
T�½�
T�½��½��½�
参数
集电极 - 基极电压
发射器基极电压
集电极到发射极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散( TA = 25 ℃ )
结温
储存温度
RT1P14BU
等级
RT1P14BM
RT1P14BC
-50
-6
-50
-100
-200
200
+150
-55�½�+150
\u003c晶体管\u003e
晶体管,电阻器
对于开关应用
PNP硅外延型
RT1P14BS
单位
V
V
V
mA
mA
mW
极限
典型值
150
+150
-55�½�+150
450
电气特性(Ta = 25℃)
符号
(BR)CEO
CBO
�½�
FE
CE(�½��½��½�)
2
�½�
参数
C至ê击穿电压
收藏家切断电流
正向直流电流增益
Ç到E饱和电压
发射极 - 基极电阻
增益带宽积
测试条件
I
C
=-100μA,R
BE
=∞
V
CB
=-50V,I
E
=0
V
CE
=-5V,I
C
=-5mA
I
C
=-10mA,I
B
=-0.5mA
V
CE
=-6V,I
E
-50
30
7
最大
-0.1
-0.3
13
单位
V
μA
V
兆赫
=10mA
10
150
典型特征
直流正向电流增益集电极电流
1000
VCE=-5V
集电极电流,输入电压关闭
-1000
VCE=-5V
正向直流电流增益hFE
100
集电极电流IC [微安]
-1
-10
集电极电流IC [马]
-100
-100
10
-10
-0
-0.5
-1
-1.5
-2
输入过电压VI ( OFF) [V]
输入电压集电极电流
-10
VCE=-200mV
输入上的电压VI (ON), [V]的
-1
-0.1
-0.1
-1
-10
-100
集电极电流IC [马]
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