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RT1P141M 参数 Datasheet PDF下载

RT1P141M图片预览
型号: RT1P141M
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内容描述: 晶体管,电阻器,用于切换应用NPN硅外延型 [TRANSISTOR WITH RESISTOR FOR SWITCHING APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE]
分类和应用: 晶体电阻器晶体管开关
文件页数/大小: 3 页 / 120 K
品牌: ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]
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RT1P141X系列
最大额定值( TA = 25 ℃ )
符号
CBO
EBO
CEO
CM
T�½�
T�½��½��½�
参数
集电极 - 基极电压
发射器基极电压
集电极到发射极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集热器
dissipation(Ta=25℃)
结温
储存温度
RT1P141T
RT1P141U
等级
RT1P141M
-50
-10
-50
-100
-200
150
\u003c晶体管\u003e
晶体管,电阻器
对于开关应用
PNP硅外延型
RT1P141C
RT1P141S
单位
V
V
V
mA
mA
125(※)
+125
-55�½�+125
125
450
+150
-55�½�+150
极限
典型值
mW
电气特性(Ta = 25℃)
符号
(BR)CEO
CBO
�½�
FE
CE(�½��½��½�)
I(ON)
I(OFF)
/R
�½�
参数
C至ê击穿电压
收藏家切断电流
正向直流电流增益
Ç到E饱和电压
输入电压
输入过电压
输入阻抗
电阻率
增益带宽积
( ※ )包装在9毫米× 19毫米× 1毫米玻璃环氧基板。
测试条件
I
C
=-100μA,R
BE
=∞
V
CB
=-50V,I
E
=0
V
CE
=-5V,I
C
=-10mA
I
C
=-10mA,I
B
=-0.5mA
V
CE
=-0.2V,I
C
=-5mA
V
CE
=-5V,I
C
=-100μA
-50
50
最大
-0.1
单位
V
μA
V
V
V
兆赫
-0.8
7.0
0.9
V
CE
=-6V,I
E
=10mA
-0.1
-1.5
-1.1
10
1.0
150
-0.3
-3.0
13
1.1
典型特征
在输入电压 - 集电极电流
-10
在输入电压Vi (ON )
(V)
DC Forward Gain �½�FE
DC正向增益 - 集电极电流
1000
100
-1
10
-0.1
-1
-10
Collector Current  I C ( �½�A )
-100
1
-1
-10
Collector Current  I C ( �½�A )
-100
集电极电流 - 输入电压关
-1000
集电极电流IC ( μA )
-100
-10
-0
-0.4
-0.8
-1.2
-1.6
-2
关闭输入电压V I (O F F ) (V )
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