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RT1P140T 参数 Datasheet PDF下载

RT1P140T图片预览
型号: RT1P140T
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内容描述: 晶体管,电阻器,用于切换应用NPN硅外延型 [Transistor With Resistor For Switching Application Silicon NPN Epitaxial Type]
分类和应用: 晶体电阻器晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 116 K
品牌: ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]
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RT1P140X系列
最大额定值( TA = 25 ℃ )
符号
CBO
EBO
CEO
CM
T�½�
T�½��½��½�
参数
集电极 - 基极电压
发射器基极电压
集电极到发射极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散( TA = 25 ℃ )
结温
储存温度
晶体管,电阻器
对于开关应用
PNP硅外延型
等级
RT1P140T
RT1P140U
RT1P140M
RT1P140C
RT1P140S
-50
-6
-50
-100
-200
125(※)
     150            200            450
+125
+150
-55�½�+125
-55�½�+150
( ※ )包装在9毫米× 19毫米× 1毫米玻璃环氧基板。
单位
V
V
V
mA
mA
mW
电气特性(Ta = 25℃)
符号
(BR)CEO
CBO
�½�
FE
CE(�½��½��½�)
�½�
参数
C至ê击穿电压
收藏家切断电流
正向直流电流增益
Ç到E饱和电压
输入阻抗
增益带宽积
测试条件
I
C
=-100μA,R
BE
=∞
V
CB
=-50V,I
E
=0
V
CE
=-5V,I
C
=-1mA
I
C
=-10mA,I
B
=-0.5mA
V
CE
=-6V,I
E
-50
100
7
极限
典型值
最大
-0.1
-0.3
13
单位
V
μA
V
兆赫
=10mA
10
150
典型特征
输入电压 - Collectorcurrent
1000
正向直流电流增益 - 集电极电流
-10
V
CE
=-0.2V
输入电压VI (ON ) (V )
正向直流电流增益hFE
V
CE
=-5V
-1
100
-0.1
-0.1
-1
-10
集电极电流Ic ( mA)的
-100
10
-0.1
-1
-10
集电极电流IC (MA )
-100
集电极电压 - 输入过电压
-1000
V
CE
=-5V
集电极电流Ic (微安)
-100
-10
-0
-0.2
-0.4
-0.6 -0.8 -1 -1.2 -1.4
输入OFF电压Vi ( OFF) (V )
-1.6
-1.8
-2
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