R 1 3 X系列
ＴＮ３Ｘ
最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
符号
Ｖ
ＢＯ
Ｃ
Ｖ
ＢＯ
Ｅ
Ｖ
ＥＯ
Ｃ
Ｉ
Ｃ
Ｉ
ＣＭ
Ｐ
Ｃ
Ｔ
�½�
Ｔ�½�
�½��½�
参数
集电极 - 基极电压
发射器基极电压
集电极到发射极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散（ TA = 25 ℃ ）
结温
储存温度
RT1N434U
等级
RT1N434M
RT1N434C
50
6
50
100
200
200
+150
-55∼+150
〈
晶体管
〉
晶体管，电阻器
对于开关应用
硅NPN外延型
RT1N434S
单位
V
V
V
mA
mA
mW
℃
℃
极限
典型值
150
+150
-55∼+150
450
电气特性（Ta = 25℃）
符号
Ｖ
ＢＲ）ＣＥＯ
（
Ｉ
ＣＢＯ
�½�
Ｅ
Ｆ
Ｖ
Ｅ �½��½�
Ｃ （ �½�）
Ｖ
（ Ｎ
ＩＯ ）
Ｖ
（ Ｆ ）
ＩＯ Ｆ
Ｒ
１
Ｒ ／Ｒ
１
２
�½�
Ｔ
参数
C至ê击穿电压
收藏家切断电流
正向直流电流增益
Ç到E饱和电压
输入电压
输入过电压
输入阻抗
电阻率
增益带宽积
测试条件
I
C
=100μA，R
BE
=∞
V
CB
=50V，I
E
=0
V
CE
=5V，I
C
=5mA
I
C
=10mA，I
B
=0.5mA
V
CE
=0.2V，I
C
=5mA
V
CE
=5V，I
C
=100μA
民
50
50
0.1
0.9
0.7
4.7
4.7
200
0.3
1.7
6.1
5.1
最大
0.1
单位
V
μA
−
V
V
V
kΩ
兆赫
0.5
3.3
4.2
V
CE
=6V，I
E
=-10mA
典型特征
在输入电压 - 集电极电流
输入上的电压VI （ON）， （V）的
DC forward current gain �½�ＦＥ
10
1000
正向直流电流增益 - 集电极电流
100
1
10
1
0.1
1
10
Collector current Ｃ �½�Ａ
Ｉ（ ）
集电极电流 - 输入电压关
100
0.1
1
10
Collector current Ｃ �½�Ａ
Ｉ（ ）
100
Collector current ＩＣ （�½�Ａ）
1000
100
10
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
输入过电压I F （ ）
Ｖ（
ＯＦ ） Ｖ
2.0
谏早电子股份有限公司
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