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RT1N431X 参数 Datasheet PDF下载

RT1N431X图片预览
型号: RT1N431X
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内容描述: 晶体管,电阻器,用于切换应用NPN硅外延型 [TRANSISTOR WITH RESISTOR FOR SWITCHING APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE]
分类和应用: 晶体电阻器晶体管开关
文件页数/大小: 3 页 / 122 K
品牌: ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]
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RT1P141X系列
最大额定值( TA = 25 ℃ )
符号
CBO
EBO
CEO
CM
T�½�
T�½��½��½�
参数
集电极 - 基极电压
发射器基极电压
集电极到发射极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散( TA = 25 ℃ )
\u003c晶体管\u003e
晶体管,电阻器
对于开关应用
硅NPN外延型
RT1N431T
RT1N431U
等级
RT1N431M
50
10
50
100
200
150
RT1N431C
RT1N431S
单位
V
V
V
mA
mA
mW
125
(※ )
+125
-55�½�+125
125
450
+150
-55�½�+150
极限
典型值
结温
储存温度
电气特性(Ta = 25℃)
符号
(BR)CEO
CBO
�½�
FE
CE(�½��½��½�)
I(ON)
I(OFF)
/R
�½�
参数
C至ê击穿电压
收藏家切断电流
正向直流电流增益
Ç到E饱和电压
输入电压
输入过电压
输入阻抗
电阻率
增益带宽积
( ※ )包装在9毫米× 19毫米× 1毫米玻璃环氧基板。
测试条件
I
C
=100μA,R
BE
=∞
V
CB
=50V,I
E
=0
V
CE
=5V,I
C
=10mA
I
C
=10mA,I
B
=0.5mA
V
CE
=0.2V,I
C
=5mA
V
CE
=5V,I
C
=100μA
50
20
最大
0.1
单位
V
μA
V
V
V
兆赫
0.8
3.3
0.8
V
CE
=6V,I
E
=-10mA
0.1
1.4
1.1
4.7
1.0
200
0.3
2.3
6.1
1.2
典型特征
IN P ü T ON V OL TA摹ê
V S. Ç OL L EC TOR Ç ú R R EN牛逼
D C F或W¯¯ A R D C ü R R EN牛逼GA IN
V S. Ç OL L EC TOR Ç ú R R EN牛逼
100
正向直流电流增益ħ
FE
1000
V
CE
=0.2V
V
CE
=5V
输入ON VOLTEGE V
我(上)
(V)
10
100
1
1
10
集电极电流I
C
(MA )
Ç OL L EC TOR Ç ú R R EN牛逼
V S. F大V OL踏歌的P ü牛逼
10
100
1
10
集电极电流I
C
(MA )
100
1000
集电极电流I
(μA)
V
CE
=5V
100
10
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
输入OFF电压V
我(关闭)
(V)
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