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    RT1N430X 参数 Datasheet PDF下载

    RT1N430X图片预览
    型号： RT1N430X
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 晶体管，电阻器，用于切换应用NPN硅外延型 [Transistor With Resistor For Switching Application Silicon NPN Epitaxial Type]
    分类和应用： 晶体电阻器晶体管
    文件页数/大小： 3 页 / 122 K
    品牌： ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]
     浏览型号RT1N430X的Datasheet PDF文件第1页浏览型号RT1N430X的Datasheet PDF文件第3页  
    RT1P141X系列
    最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
    符号
    Ｖ
    ＣＢＯ
    Ｖ
    ＥＢＯ
    Ｖ
    ＣＥＯ
    Ｉ
    Ｃ
    Ｉ
    ＣＭ
    Ｐ
    Ｃ
    Ｔ�½�
    Ｔ�½��½��½�
    参数
    集电极 - 基极电压
    发射器基极电压
    集电极到发射极电压
    集电极电流
    峰值集电极电流
    集电极耗散（ TA = 25 ℃ ）
    结温
    储存温度
    RT1N430T
    RT1N430U
    \u003c晶体管\u003e
    晶体管，电阻器
    对于开关应用
    硅NPN外延型
    125
    （※ ）
    +125
    -55�½�+125
    150
    等级
    RT1N430M RT1N430C
    50
    6
    50
    100
    200
    200
    +150
    -55�½�+150
    RT1N430S
    单位
    450
    V
    V
    V
    mA
    mA
    mW
    ℃
    ℃
    （ ※ ）包装在9毫米× 19毫米× 1毫米玻璃环氧基板。
    电气特性（Ta = 25℃）
    符号
    Ｖ
    （ＢＲ）ＣＥＯ
    Ｉ
    ＣＢＯ
    �½�
    ＦＥ
    Ｖ
    ＣＥ（�½��½��½�）
    Ｒ
    １
    �½�
    Ｔ
    参数
    C至ê击穿电压
    收藏家切断电流
    正向直流电流增益
    Ç到E饱和电压
    输入阻抗
    增益带宽积
    测试条件
    I
    C
    =100μA，R
    BE
    =∞
    V
    CB
    =50V，I
    E
    =0
    V
    CE
    =5V，I
    C
    =1mA
    I
    C
    =10mA，I
    B
    =0.5mA
    V
    CE
    =6V，I
    E
    民
    50
    100
    3.3
    极限
    典型值
    最大
    0.1
    单位
    V
    μA
    －
    V
    kΩ
    兆赫
    =-10mA
    0.1
    4.7
    200
    0.3
    6.1
    典型特征
    在输入电压 - 集电极电流
    10
    正向直流电流增益 - 集电极电流
    1000
    V
    CE
    =0.2V
    输入上的电压VI （ON）， （V）的
    正向直流电流增益hFE参数
    V
    CE
    =5V
    1
    100
    0.1
    0.1
    1
    10
    集电极电流Ic （ mA）的
    100
    10
    0.1
    1
    10
    集电极电流IC （MA ）
    100
    集电极电流 - 输入电压关闭
    1000
    V
    CE
    =5V
    集电极电流Ic （微安）
    100
    10
    0
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    1
    1.2
    1.4
    输入OFF电压Vi （ OFF） （V ）
    1.6
    1.8
    2
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