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RT1N231X 参数 Datasheet PDF下载

RT1N231X图片预览
型号: RT1N231X
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内容描述: 晶体管,电阻器,用于切换应用NPN硅外延型 [Transistor With Resistor For Switching Application Silicon NPN Epitaxial Type]
分类和应用: 晶体电阻器晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 69 K
品牌: ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]
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R 1 3 X系列
TN3X
最大额定值( TA = 25 ℃ )
符号
BO
BO
EO
CM
�½�
T�½�
�½��½�
参数
集电极 - 基极电压
发射器基极电压
集电极到发射极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散( TA = 25 ℃ )
结温
储存温度
RT1N231U
等级
RT1N231M
RT1N231C
50
10
50
100
200
200
+150
-55∼+150
晶体管
晶体管,电阻器
对于开关应用
硅NPN外延型
RT1N231S
单位
V
V
V
mA
mA
mW
极限
典型值
150
+150
-55∼+150
450
电气特性(Ta = 25℃)
符号
BR)CEO
CBO
�½�
E �½��½�
C ( �½�)
( N
IO )
( F )
IO F
R /R
�½�
参数
C至ê击穿电压
收藏家切断电流
正向直流电流增益
Ç到E饱和电压
输入电压
输入过电压
输入阻抗
电阻率
增益带宽积
测试条件
I
 C
=100μA,R
BE
=∞
V
CB
=50V,I
 E
=0
V
CE
=5V,I
 C
=20mA
I
 C
=10mA,I
 B
=0.5mA
V
CE
=0.2V,I
 C
=5mA
V
CE
=5V,I
 C
=100μA
50
20
1.3
1.1
2.2
1.0
200
0.3
2.2
2.9
1.2
最大
0.1
单位
V
μA
V
V
V
兆赫
0.7
1.5
0.8
V
CE
=6V,I
 E
=-10mA
D C ˚F Ø R W A R D C ü R R简的Tg A IN
vs.collector电流
典型特征
10
输入电压
vs.collector电流
1000
正向直流电流增益※
�½�
输入ON VOLTEGE
我(上)
( )
V
CE
=0.2V
V
CE
=5V
1
100
0.1
1
10
100
集电极电流
( )
I �½�A
集电极电流
VS.INPUT断电压
10
1
10
100
集电极电流
( )
I �½�A
1000
集电极电流
μA
I( )
V
CE
=5V
100
10
0
0.4
0.8
1.2
1.6
输入电压OFF
IOF )
( F
( )
2
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