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RT1N141T 参数 Datasheet PDF下载

RT1N141T图片预览
型号: RT1N141T
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内容描述: 晶体管,电阻器,用于切换应用NPN硅外延型 [Transistor With Resistor For Switching Application Silicon NPN Epitaxial Type]
分类和应用: 晶体电阻器晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 145 K
品牌: ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]
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RT1P141X系列
最大额定值( TA = 25 ℃ )
符号
CBO
EBO
CEO
CM
T�½�
T�½��½��½�
参数
集电极 - 基极电压
发射器基极电压
集电极到发射极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集热器
dissipation(Ta=25℃)
结温
储存温度
RT1N141T
RT1N141U
等级
RT1N141M
50
10
50
100
200
\u003c晶体管\u003e
晶体管,电阻器
对于开关应用
硅NPN外延型
RT1N141C
RT1N141S
单位
V
V
V
mA
mA
125(※)
+125
-55�½�+125
150
200
+150
-55�½�+150
450
mW
( ※ )包装在9毫米× 19毫米× 1毫米玻璃环氧基板。
电气特性(Ta = 25℃)
符号
(BR)CEO
CBO
�½�
FE
CE(�½��½��½�)
I(ON)
I(OFF)
/R
�½�
参数
C至ê击穿电压
收藏家切断电流
正向直流电流增益
Ç到E饱和电压
输入电压
输入过电压
输入阻抗
电阻率
增益带宽积
测试条件
I
C
=100μA,R
BE
=∞
V
CB
=50V,I
E
=0
V
CE
=5V,I
C
=10mA
I
C
=10mA,I
B
=0.5mA
V
CE
=0.2V,I
C
=5mA
V
CE
=5V,I
C
=100μA
50
50
0.1
1.5
1.1
10
1.0
200
0.3
3.0
13
1.1
极限
典型值
最大
0.1
单位
V
μA
V
V
V
兆赫
0.8
7.0
0.9
V
CE
=6V,I
E
=-10mA
典型特征
在输入电压 - 集电极电流
10
在输入电压Vi (ON )
VCE=0.2V
正向直流电流增益 - 集电极电流
1000
DC Forward Current Gain �½�FE
VCE=5V
1
100
0.1
1
10
Collector Current IC(�½�A)
集电极电流 - 输入电压关
1000
VCE=5V
100
10
1
10
Collector Current IC(�½�A)
100
Collector Current IC (�½�A)
100
10
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
输入OFF电压Vi (关) (V )
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