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RT1C3904-T12 参数 Datasheet PDF下载

RT1C3904-T12图片预览
型号: RT1C3904-T12
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内容描述: 晶体管 [Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 47 K
品牌: ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]
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初步
注意:这不是最终规格。
有些参数限制是受
改变。
RT1C3904-T12
晶体管
通用
应用
硅NPN外延型
RT1C3904是一个芯片晶体管。
外形绘图
单位:mm
特征
⑦Mini
包装,便于安装。
0.5
2.5
1.5
0.5
应用
通用晶体管
1
2
3
最大额定值(Ta = 25℃)
参数
符号
V
首席执行官
集电极到发射极电压
V
CBO
V
EBO
I
C
集电极 - 基极电压
发射器基极电压
集电极电流
评级
40
60
6.0
200
单位
V
V
V
mA
端子连接器
1
2
3
:基本
:发射器
:收藏家
EIAJ : SC- 59
JEDEC : TO- 236相似
热特性
符号
P
D
R
θJA
P
D
R
θJA
T
j
T
英镑
特征
器件总功耗玻璃EPOXI
板( 1 ) TA = 25 ℃
减免Adove 25 ℃
评级
225
1.8
556
300
2.4
417
+150
-55到+150
单位
mW
毫瓦/ °
℃ / MW
mW
毫瓦/ °
℃ / MW
等效电路
-collector
BASE
热阻结到环境
器件总功耗
氧化铝基板( 2 ) TA = 25 ℃
减免Adove 25 ℃
热阻结到环境
结温
储存温度
:辐射源
电气特性( TA = 25℃除非另有说明)
范围
符号
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
I
BL
I
CEX
参数
C至ê击穿电压
(3)
C到B击穿电压
E至B击穿电压
基地截断电流
收藏家切断电流
TestConditions
I
C
= 1.0毫安,我
B
=0
I
C
= 10μA ,我
E
=0
I
C
= 10μA ,我
C
=0
V
CE
=30V, V
EB
=3.0V
V
CE
=30V, V
EB
=3.0V
40
60
6
50
50
典型值
最大
单位
V
V
V
nA
nA
1.Glass-Epoxi=1.0×0.75×3.2in
2.Alumina = 0.4 × 0.3 × 3.2
3.Pulse测试
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