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    RT1A3906-T122 参数 Datasheet PDF下载

    RT1A3906-T122图片预览
    型号： RT1A3906-T122
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 低频AMPLIFY申请PNP硅外延型（迷你型） [FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE(mini type)]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 3 页 / 79 K
    品牌： ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]
     浏览型号RT1A3906-T122的Datasheet PDF文件第2页浏览型号RT1A3906-T122的Datasheet PDF文件第3页  
    \u003c小信号晶体管\u003e
    RT1A3906-T122
    低频AMPLIFY应用
    PNP硅外延型（迷你型）
    描述
    RT1A3906
    是一种超小型封装树脂密封
    PNP硅外延晶体管，
    它是专为低频电压的应用。
    0.5
    OUTLINEDRAWING
    unit：�½��½�
    2.5
    1.5
    0.5
    特征
    2.9
    1.90
    ¡优秀
    线性直流正向增益。
    ·超
    微型封装，易于安装
    ●小集电极到发射极饱和电压。
    VCE(sat)=-0.4Vmax（@I
    C
    =-50mA、I
    B
    =-5mA）
    0.95
    1
    0.95
    2
    3
    应用
    对于混合集成电路，小型机器的低频电压
    扩大应用。
    终端连接
    内部BASE
    ② ：辐射源
    --Collector
    0.8
    0∼0.1
    JEITA：SC-59
    JEDEC ： TO- 236resemble
    最大额定值
    （Ta=25℃）
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    集电极电流
    集电极耗散
    结温
    储存温度
    评级
    -60
    -40
    -6
    200
    150
    ＋150
    -55∼＋150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    ℃
    ℃
    标识图
    ２
    Ｗ
    P
    c
    T
    j
    T
    英镑
    缩写
    对于类
    项目的hFE
    电气特性
    （Ta=25℃）
    符号
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    BL
    I
    CEX
    �½�
    FE
    V
    CE （SAT）
    V
    BE （SAT）
    �½�
    T
    C
    ob
    C
    C
    E
    T O服务
    T O服务
    T O服务
    E
    B
    B
    参数
    B R E A ķ
    B R E A ķ
    B R E A ķ
    Ç ú吨
    D 2 O W N
    D 2 O W N
    D 2 O W N
    Ø F F
    Ç ú吨
    Ø F F
    V Ø L T A G ê
    V Ø L T A G ê
    V Ø L T A G ê
    测试条件
    Ic=-1mA,R
    BE
    =∞
    Ic=-10μA,I
    E
    =0
    I
    E
    =-10μA,I
    C
    =0
    V
    CE
    =-30V,V
    EB
    =-3V
    V
    CE
    =-30V,V
    EB
    =-3V
    V
    CE
    =-1V,I
    C
    =-10mA
    Ic=-50mA,I
    B
    =-5mA
    Ic=-50mA,I
    B
    =-5mA
    V
    CE
    = -20V ，我
    C
    =-10mA
    ,f=100MHz
    V
    CB
    =-5V,I
    E
    =0,f=1MHz
    范围
    民
    -40
    -60
    -6
    -50
    -50
    100
    −
    −
    250
    −
    300
    -400
    -950
    −
    5.0
    民
    民
    0.16
    1.1
    0.4
    单位
    V
    V
    V
    nA
    nA
    B A S é
    Ç ú R R简牛逼
    Ç ú R R简牛逼
    G A I N
    C 0 L L权证T O服务ř
    D C
    C
    B
    T O服务
    T O服务
    ˚F Ø R W A R ð
    E
    E
    Ç ú R R简牛逼
    S A吨ü R A T I O 4 N
    S A吨ü R A T I O 4 N
    V Ø L T A G ê
    V Ø L T A G ê
    P ，R 0 ð ü （C T）
    mV
    mV
    兆赫
    pF
    G A I N
    B一N D瓦特I D吨ħ
    Ø ü T P上ü牛逼
    C 0 L L权证T O服务ř
    C A P A C I T A N权证
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