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ISC6053AU1 参数 Datasheet PDF下载

ISC6053AU1图片预览
型号: ISC6053AU1
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内容描述: 对于一般用途的高电流驱动应用硅NPN外延型 [FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE]
分类和应用: 驱动
文件页数/大小: 4 页 / 197 K
品牌: ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]
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初步
•本
数据表变化的可能性。
因为现在该设备正在开发。
ISC6053AU1
对于一般用途的高电流驱动应用
硅NPN外延型
典型特征
集电极耗散VS.环境温度
200
10000
正向直流电流增益VS.
集电极电流
VCE=4V
正向直流电流增益hFE ( - )
集电极耗散PC(毫瓦)
150
1000
85℃
25℃
100
100
-40℃
50
0
0
50
100
150
10
1
10
100
1000
环境温度Ta( ℃ )
集电极电流Ic ( mA)的
共发射极TRANSFER ( 1 )
共发射极TRANSFER ( 2 )
700
VCE=4V
600
集电极电流IC (MA )
10
VCE=4V
500
400
300
-40℃
200
100
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
25℃
集电极电流IC (MA )
85℃
8
85℃
6
25℃
4
-40℃
2
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
基地发射极电压VBE ( V)
基地发射极电压VBE ( V)
共发射极输出(1 )
共发射极输出( 2 )
800
700
集电极电流IC (MA )
IB=10mA
IB=9mA
IB=8mA
IB=7mA
IB=6mA
400
IB=1.0mA
IB=0.9mA
IB=0.8mA
IB=0.7mA
Ta=25℃
Ta=25℃
350
集电极电流IC (MA )
600
500
IB=4mA
300
250
200
IB=0.6mA
IB=0.5mA
IB=0.4mA
IB=5mA
IB=0.3mA
400
IB=2mA
IB=3mA
IB=0.2mA
300
IB=1mA
150
100
IB=0.1mA
200
100
0
0
1
2
3
4
5
IB=0mA
50
IB=0mA
0
0
5
10
15
20
集电极到发射极电压VCE ( V)
集电极到发射极电压VCE ( V)
谏早电子股份有限公司