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ISB1035AS1 参数 Datasheet PDF下载

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型号: ISB1035AS1
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内容描述: 低频POWOR AMPLIFY申请PNP硅外延型 [FOR LOW FREQUENCY POWOR AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE]
分类和应用:
文件页数/大小: 3 页 / 219 K
品牌: ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]
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\u003c小信号晶体管\u003e
ISB1035AS1
低频POWOR AMPLIFY应用
PNP硅外延型
典型特征
集电极耗散VS.
环境温度
1000
集电极耗散PC(毫瓦)
800
600
400
Pc
=
0.
6W
200
0
0
40
80
120
160
200
环境温度Ta( ℃ )
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