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    ISA1993AS1 参数 Datasheet PDF下载

    ISA1993AS1图片预览
    型号： ISA1993AS1
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 小信号晶体管 [SMALL-SIGNAL TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 3 页 / 370 K
    品牌： ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]
     浏览型号ISA1993AS1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号ISA1993AS1的Datasheet PDF文件第3页  
    \u003c小信号晶体管\u003e
    ISA1993AS1
    低频AMPLIFY应用
    PNP硅外延型（帧类型）
    描述
    ISA1993AS1是密封的小型封装树脂
    PNP硅外延晶体管，
    它是专为低频电压的应用。
    3.0
    .
    4.0
    外形绘图
    Unit：�½��½�
    14.0
    1.0
    1.0
    0.1
    0.45
    特征
    ●小集电极到发射极饱和电压。
    VCE(sat)=max-0.3V（@Ic=-100mA、IB=-10mA）
    ●直流正向增益优秀的线性度。
    ●超小型封装，易于安装
    1.27 1.27
    0.4
    2.5
    ①
    ②
    ③
    应用
    小型机器的低频电压扩增的应用。
    JEITA ：
    JEDEC ：
    端子连接器
    ② ：辐射源
    --Collector
    内部BASE
    最大额定值
    （Ta=25℃）
    .
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    O
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    集电极电流
    集电极耗散
    结温
    储存温度
    评级
    -50
    -50
    -6
    -200
    450
    ＋150
    -55∼＋150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    ℃
    ℃
    记号
    A93
    □□F
    的hFEアイテム
    P
    c
    T
    j
    T
    英镑
    电气特性
    （Ta=25℃）
    参数
    C至ê击穿电压
    收藏家切断电流
    发射器切断电流
    正向直流电流增益
    正向直流电流增益
    C至ê饱和Vlotage
    增益带宽积
    集电极输出电容
    噪声系数
    符号
    V(
    BR
    )
    首席执行官
    I
    CBO
    I
    EBO
    的hFE
    的hFE
    VCE （ SAT ）
    fT
    COB
    NF
    测试条件
    I
    C
    = -100ìA ，R
    BE
    = ∞
    V
    V
    V
    V
    CB
    EB
    范围
    民
    -50
    -
    -
    150
    50
    -
    -
    -
    -
    典型值
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    200
    4.0
    -
    最大
    -
    -0.1
    -0.1
    500
    -
    -0.3
    -
    -
    20
    单位
    V
    μA
    μA
    -
    -
    V
    兆赫
    pF
    dB
    = -50V ，我
    E
    = 0毫安
    = -6V ，我
    C
    = -1mA
    = -6V ，我
    C
    = -0.1mA
    = -6V ，我
    C
    = 0毫安
    CE
    CE
    I
    C
    = -100mA ，我
    B
    = -10mA
    V
    V
    V
    CE
    = -6V ，我
    E
    = 10毫安
    = -6V ，我
    E
    = 0毫安， F = 1MHz的
    CB
    CE
    = -6V ，我
    E
    = 0.3毫安， F = 100Hz的，R
    G
    =10kΩ
    ※ ）它显示在下面的表的hFE分类。
    项
    项目的hFE
    E
    150∼300
    F
    250∼500
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