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    ISA1399AS1 参数 Datasheet PDF下载

    ISA1399AS1图片预览
    型号： ISA1399AS1
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 对于一般用途的高电流驱动应用PNP硅外延型 [FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE]
    分类和应用： 驱动
    文件页数/大小： 3 页 / 153 K
    品牌： ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]
     浏览型号ISA1399AS1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号ISA1399AS1的Datasheet PDF文件第3页  
    \u003c小信号晶体管\u003e
    ISA1399AS1
    对于一般用途的高电流驱动应用
    PNP硅外延型
    描述
    ISA1399AS1是硅PNP外延型晶体管
    设计的高集电极电流，高电压。
    外形绘图
    4.0
    Unit：½½
    辅以ISA3581AS1 。
    特征
    ●高集电极电流。我
    CM
    =600mA
    13.0MIN
    1.0
    7.5MAX
    1.0
    0.1
    0.45
    2.5
    2.5
    ①
    ②
    ③
    3.0
    ●高增益带宽产品。 FT = 150MHz的典型值
    ●高V
    首席执行官
    . V
    首席执行官
    =-50V
    ●优良的直流线性度正向电流增益。
    14.0
    应用
    2.5
    对于开关，小型电机驱动应用。
    JEITA ：
    JEDEC ：
    .
    端子连接器
    ② ：辐射源
    --Collector
    评级
    -55
    -4
    -50
    -400
    -600
    600
    ＋150
    -55½＋150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mA
    mW
    ℃
    ℃
    最大额定值
    （Ta=25℃）
    符号
    V
    CBO
    V
    EBO
    V
    首席执行官
    I
    C
    I
    CM
    P
    c
    T
    j
    T
    英镑
    参数
    集电极 - 基极电压
    发射器基极电压
    集电极到发射极电压
    集电极电流
    峰值集电极电流
    集电极耗散
    结温
    储存温度
    内部BASE
    电气特性
    （Ta=25℃）
    参数
    V(
    BR
    )
    CBO
    V(
    BR
    )
    EBO
    V(
    BR
    )
    首席执行官
    I
    CBO
    I
    EBO
    ※的hFE
    VCE （ SAT ）
    fT
    参数
    C到B击穿电压
    E至B击穿电压
    C至ê击穿电压
    收藏家切断电流
    发射器切断电流
    正向直流电流增益
    Ç到E饱和电压
    增益带宽积
    测试条件
    I
    C
    = -10ìA ，我
    E
    = 0
    I
    E
    = -10ìA ，我
    C
    = 0
    I
    C
    = -100ìA ，R
    BE
    = ∞
    V
    V
    V
    CB
    EB
    CE
    范围
    民
    -55
    -4
    -50
    -
    -
    90
    -
    -
    典型值
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -0.17
    150
    最大
    -
    -
    -
    -1
    -1
    500
    -0.5
    -
    0.4
    单位
    V
    V
    V
    μA
    μA
    -
    V
    兆赫
    = -25V ，我
    E
    = 0毫安
    = -2V ，我
    C
    = 0毫安
    = -4V ，我
    C
    = -100mA
    I
    C
    = -200mA ，我
    B
    = -10mA
    V
    CE
    = -6V ，我
    E
    = 10毫安
    ※ ），它显示在右表中的hFE分类。
    项
    项目的hFE
    D
    90½180
    E
    150½300
    F
    250½500
    谏早电子股份有限公司

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