INK0012AU1 参数 Datasheet PDF下载

型号：	INK0012AU1
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内容描述：	高速开关硅N沟道MOSFET [High speed switching Silicon N-channel MOSFET]
分类和应用：	开关
文件页数/大小：	4 页 / 134 K
品牌：	ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]

典型特征

Ta=25℃

100

2.7V

2.6V

2.5V

2.4V

ID -VDS

Ta=25℃

1.9V

ID -VDS （低压区）

1.85V

1.8V

漏极电流ID （MA ）

VGS=2.2V

漏极电流ID （MA ）

2.3V

0.8

0.6

1.75V

2.1V

0.4

1.7V

2.0V

1.9V

0.2

1.65V

VGS=1.6V

1.5V

漏源电压VDS （ V）

1.8V

0.1

0.2

0.3

0.4

漏源电压VDS （ V）

0.5

IDR -VDS

100

反向漏电流IDR （毫安）

Ta=25℃

VGS=0V

漏极电流ID （MA ）

1000

Ta=25℃

VDS=10V

100

ID -VGS

-0

-0.5

-1

-1.5

-2

漏源电压VDS （ V）

栅极 - 源极电压VGS （V）的

| YFS | - ID

漏源级电阻RDS（on ）

(Ω)

RDS （ ON） - ID

1000

正向转移导纳

| YFS | （MS ）

Ta=25℃

VDS=10V

100

Ta=25℃

VGS=4V

10V

100

1000

漏极电流ID （MA ）

100

漏极电流ID （MA ）

150

200

吨 - ID

10000

Ta=25℃

花花公子

Ç - VDS

100

开关时间t（ NS ）

1000

西塞

电容C （PF ）

科斯

100

吨

Ta=25℃

VGS=0V

0.1

漏极电流ID （MA ）

100

0.1

漏源电压VDS （ V）

100

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