INK0003AX系列
高速开关
硅N沟道MOSFET
MAXIMUM RATING（Ｔ�½�＝２５℃）
符号
Ｖ
DSS
Ｖ
GSS
Ｉ
D
Ｐ
Ｄ
总胆固醇
Ｔ�½��½��½�
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
总
动力
耗散
（Ta=25℃）
通道温度
储存温度范围
INK0003AT2
等级
INK0003AU1
INK0003AM1
20
±8
200
150
+150
-55�½�+150
200
INK0003AC1
单位
V
V
mA
mW
℃
℃
125（※）
+125
-55�½�+125
ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Ｔ�½�＝２５℃）
符号
参数
漏源击穿电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
正向转移导纳
静态漏源导通状态
阻力
输入电容
输出电容
开关时间
※包装在9毫米× 19毫米× 1毫米玻璃环氧基板。
测试条件
I
D
= 100μA ，V
V
V
V
GS
DS
GS
V
（ BR ） DSS
I
GSS
I
DSS
V
th
|
Y
fs
|
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
t
ON
t
关闭
=0V
民
20
-
-
0.6
-
-
-
-
-
-
极限
典型值
-
-
-
-
300
0.9
34
8.5
14
85
最大
-
±0.5
1.0
1.2
-
-
-
-
-
-
单位
V
μA
μA
V
mS
Ω
pF
pF
ns
=±5V, V
DS
=0V
=V
=20V ,V
GS
=0V
DS
GS
I
D
= 250μA ，V
DS
= 10V ，我
D
=0.1A
GS
I
D
= 100mA时V
V
V
V
V
DS
DS
=4.0V
=10V, V
=10V, V
GS
GS
=0V,f=1MHz
=0V,f=1MHz
= 5V ，我
D
= 10毫安
GS
=0�½�5V
DD
开关时间测试条件
测试电路
5V
IN
OUT
5V
90%
R
L
0
10μs
V
DD
=5V
D.U.≦1%
常见的来源
Ta=25℃
50Ω
V
DD
输入
波形
0V
V
DD
10%
10%
产量
波形
V
DS （ ON）
吨
90%
tr
花花公子
tf
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