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INJ0003AC1 参数 Datasheet PDF下载

INJ0003AC1图片预览
型号: INJ0003AC1
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内容描述: 高速开关硅P沟道MOSFET [High speed switching Silicon P-channel MOSFET]
分类和应用: 开关
文件页数/大小: 4 页 / 134 K
品牌: ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]
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典型特征
Ta=25℃
-100
-1.6V
-1.5V
-80
漏极电流ID (MA )
ID -VDS
-1.4V
-1.3V
漏极电流ID (MA )
-5
-1.0V
-4
-0.9V
-3
-0.85V
VGS=-0.8V
-0.95V
ID -VDS (低压区)
Ta=25℃
-60
-1.2V
-40
-1.1V
VGS=-1.0V
-2
-20
-1
-0
-0
-2
-4
-6
-8
-10
漏源电压VDS ( V)
-0
-0
-0.1
-0.2
-0.3
-0.4
-0.5
漏源电压VDS ( V)
IDR -VDS
-100
反向漏电流IDR (毫安)
Ta=25℃
VGS=0V
漏极电流ID (MA )
-100
-1000
Ta=25℃
VDS=-10V
ID -VGS
-10
-10
-1
0
0.5
1
1.5
2
漏源电压VDS ( V)
-1
-0
-1
-2
-3
-4
-5
栅极 - 源极电压VGS (V)的
| YFS | - ID
1000
正向转移导纳
| YFS | (MS )
Ta=25℃
VDS=-10V
100
-1000
Ta=25℃
VGS=-4V
漏源电压
VDS(ON) (毫伏)
VDS(ON) -ID
-100
10
-10
1
-1
-10
-100
-1000
漏极电流ID (MA )
-1
-1
-10
漏极电流ID (MA )
-100
吨 - ID
10000
Ta=25℃
花花公子
开关时间t( NS )
1000
tf
电容C (PF )
100
Ç - VDS
西塞
100
10
科斯
10
tr
Ta=25℃
VGS=0V
1
-0.1
1
-0.1
-1
-10
漏极电流ID (MA )
-100
-1
-10
漏源电压VDS ( V)
-100
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